SOI 晶相光電 CIS Process Technology Update

晶相光電致力於 CMOS Image Sensor 之產品創新研發，在圖像傳感器的市場和應用端，小像素、高分辨率逐漸成為市場趨勢。在這樣的趨勢下，背照式的傳感器(BSI)受到市場的重視和需求。
當然，前照式傳感器(FSI)還是有著成本上的優勢。晶相光電為了可以在成本和效能上取得最佳化，長期與供應鏈緊密合作，為市場提供兼顧成本與效能最佳解決方案。



SOI-BSI 技術特點   

成像更清晰：光路短，損耗小，量子效應高，感光面積大。像素縮小，解析度提升。   
功能更強勁：更多可佈線面積，實現片上更多智能模塊，達成智能系統芯片。   
顏色更鮮豔：顏色間的隔絕更好、串擾小、顏色飽和度提升。   
暗電流更小：在高溫、黑暗的環境下，BSI 產品暗電流小、噪聲小、影像品質好。

SOI 利用 FSI 和 SOI-BSI 的先進技術力量，不斷進行創新，從而形成 SOI-BSI NIR+ 近紅外線加強 的像素架構。
SOI-BSI NIR+ 技術的量子效率（QE）在850奈米處提升3倍，在940奈米處提升5倍，創造了新的產業記錄，為廣泛的機器視覺和夜視應用提供了更精確的影像數據 捕捉和更多細節。

SOI-BSI NIR+進一步完善了晶相光電顛覆性的像素架構和工藝，能獲得前所未有的近紅外線（NIR）成像量子效率和更高品質的影像。
SOI-BSI NIR+ 近紅外線加強 像素技術可為在低光或無光環境中運行的應用提供新的可能性，同時降低總功耗。