不知道大家在使用 NXP LPC55 系列調試開發過程中，是否有遇到過操作晶片內 Flash 導致 Hardfault 的情況，檢查發現程序中也沒有出現越界訪問，那麼是什麼原因導致的呢？
可能情況一：通過 AHB 總線對 Flash 中擦除後未重新編程的區域進行讀取，例如通過 memcpy 直接對 Flash 中的某段地址進行操作，而該區域被擦除後，並未重新寫入數據，由於讀取 LPC55 Flash 存在 ECC 校驗，而擦除過後的 Flash 並未設置正確的 ECC，此時直接讀取就會導致 ECC 校驗錯誤，進入 HardFault_Handler()；
可能情況二：通常對 Flash 的寫數據時的步驟是先擦除後寫入，當對 Flash 中已經寫入過的區域，未執行擦除操作，進行二次寫入，可能會導致奇偶校驗位不一致，此時通過 AHB 總線對 Flash 中該區域進行讀取會導致 ECC 校驗錯誤進入 HardFault_Handler()；
那麼為了防止在操作 Flash 時出現 HardFault 的情況，導致代碼無法繼續正常運行，首先，在編寫程序時，代碼邏輯上就需要注意，去避免以上兩種情況的出現，然後細心的讀者也可能會發現，上面所說的兩種情況，實際上都是因為 ECC 的校驗錯誤導致的 HardFault，如果在程序運行中，晶片正在進行 Flash 的寫入或者擦除，此時因為外部的一些影響（例如意外掉電等），導致 Flash 操作中斷，也可能會導致該區域的 ECC 設置錯誤，再次運行時對該區域訪問就會導致同樣的 HardFault 問題（雖然這種情況機率非常的低），那麼有沒有辦法避免呢？
答案當然是有的，為了避免 ECC 導致 HardFault，在程序中需要對 Flash 進行讀取時，就不去使用 AHB 總線直接訪問的方式了，修改使用 LPC55 系列 SDK 中提供的操作 Flash 的 API 進行操作，這裡讀取 Flash 就使用 FLASH_Read() API 進行讀取；
使用 FLASH_Read() API 進行 Flash 讀取的好處，FLASH_Read() 執行後會反饋該讀取操作的結果，所以即使在讀取過程中，遇到了 ECC 錯誤的問題，也不會進入 HardFault，並且還可以根據 FLASH_Read() 的返回值進行判斷，從而做出相應的處理；
例如下面這段測試代碼，對 Flash 中，進行過未擦除重複寫入的區域進行讀取時，出現返回值 116，即 ECC 校驗錯誤，但此時程序並未進入 HardFault，且代碼中根據返回值，還可以進行相應的處理，例如代碼中對該區域進行重新的擦除寫入，清除了 ECC 錯誤，從而避免了讀取 Flash ECC 校驗錯誤就進入 HardFault 的問題；
如果對於 FLASH_Read() 等相關操作 API 不熟悉，可以參考 SDK 中的 flashiap1 例程；
以上就是本篇文章的全部內容，如果文章中有錯誤或有其他問題歡迎提出指正，感謝大家。
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