作者：英飛凌官微 英飛凌推出集成高精度溫度傳感器的新型600 V CoolMOS™ S7TA MOSFET         全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出適用於汽車功率管理應用的600 V CoolMOS™ S7TA超級結MOSFET。S7TA專為滿足汽車電子部件的

作者：英飛凌官微         隨著人工智慧（AI）處理器對功率的要求日益提高，服務器電源（PSU）必須在不超出服務器機架規定尺寸的情況下提供更高的功率，這主要是因為高級GPU的能源需求激增。到本十年末，每顆高級GPU晶片的能耗可能達到2千瓦或以上。這些需求以及更高要求的應用和相關特定客戶需求的出

作者：英飛凌官微 低噪聲放大器（LNA）廣泛應用於在全球導航衛星系統（GNSS）中，包括個人導航設備、手機、平板電腦、手錶等穿戴設備。低噪聲放大器在改善接收系統信號的信噪比，提升系統接收靈敏度、提升系統定位精度和速度等方面起到了重要作用。同時，隨著穿戴設備的普及，市場對低噪聲放大器的低功耗要求也越來

作者：英飛凌官微 英飛凌科技股份公司發布全新PSOC™ Edge微控制器（MCU）系列的詳細信息，該系列產品的設計針對機器學習（ML）應用進行了優化。新推出的PSOC™ Edge MCU三個系列E81、E83 和 E84在性能、功能和內存選項方面具有可擴展性和兼容性。它們均配有全面的系統設計工具和軟

作者：英飛凌工業半導體　趙佳 得益於寬禁帶半導體的材料優勢，SiC MOSFET在電力電子行業中的應用越來越廣泛。SiC MOSFET很多性能與傳統Si基器件不同，對驅動設計也提出了更高的要求。為了最大化利用SiC MOSFET的性能優勢，驅動晶片的選擇需要著重考慮如下幾個方面： 01. 更高的軌到

作者：英飛凌工業半導體         50mm Prime Block模塊優化了熱阻，在更高的溫度條件下，它們的性能超越了目前的極限。因此，在相同的尺寸下，功率密度最高，眾所周知的可靠性，使用壽命更長。我們的壓接式模塊一般具有同類最佳的耐壓穩定性和抗H2S穩定性。 產品型號：      ▪ TT3

作者：英飛凌工業半導體   一個籬笆三個樁——記晶體三極體的發明 如果單獨選擇一個事件作為半導體登上國際舞台的標誌，那麼肯定是1947年底美國貝爾電話實驗室發明了晶體三極體。1943年美國貝爾實驗室建立了一個強大的固體物理研究小組，領導者是威廉·肖克利（William Shockley，物理學家）和

作者：英飛凌官網 在單相小功率光伏併網系統中，有隔離型和非隔離型兩種拓撲結構。隔離型有成本高、體積大等諸多缺點，因此非隔離型成為目前主流的拓撲結構，本文主要介紹非隔離型的全橋以及HERIC兩種較為常用的拓撲結構。 在非隔離型光伏系統中，電網和光伏陣列之間存在直接的電氣連接。由於光伏陣列和接地外殼之間

作者：英飛凌工業半導體 1200V發射極控制二極體EC7具有軟恢復和超快恢復特性，可提高工業和家用電器、太陽能MPPT升壓和電動汽車充電電路中維也納整流器拓撲結構的可靠性。此外，使用TO-247-2封裝可減少與放電相關的故障模式。高達140A高額定電流提高了分立器件封裝的功率密度，從而實現更小尺寸和

作者：英飛凌官微 產品特點: 用於62mm，2kV CoolSiC™溝槽柵MOSFET模塊的半橋驅動板 驅動有獨立的拉電流和灌電流管腳，便於優化柵極驅動 驅動IC 1ED3890MC12M或1ED3890MU12M X3系列數字電路，帶I2C總線，用於參數調整 硬體欠壓鎖定(UVLO)保護 應用價值