一. 前言 世平集團針對 DDR 相關技術整理了一系列 博文 ，其中也包含了 Micron DDR 的相關技術；筆者希望能夠透過這些博文協助大家更了解 DDR 的相關技術，未來筆者也會持續更新此系列的相關博文還懇請支持！這篇文章主要是延續 【ATU Book-Micron 系列-DDR】窺探 Mic

一. Introduction介紹 本文將提供一些在進行 NXP i.MX RT1170 的 SDRAM Layout 時，遇到的實際範例；以及遇到狀況時的解決辦法或補救措施。 二. 實際範例 這裡先提供兩張錯誤示範的圖： 1. 下圖中的棕線是 SDRAM Data 的走線，藍色及紫色是走線對應的參

一. Introduction介紹 本文旨在介紹使用 NXP i.MX RT1170 時，在需要外掛 SDRAM 的情況下，Layout 上的一些細節以及注意事項； 首先先簡單介紹一下 SDRAM，這是一種很常見的高速記憶體，但它的性能和可靠性會直接影響到裝置的運行速度和穩定性。 在進行 SDRAM

計算機的組成原理裡面這樣介紹計算機的存儲器：存儲器是用來存儲程序和數據的部件，對於計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱內存儲器，而諸如硬盤、SSD等都為輔助存儲器。 套用網絡上這樣一個關於內存和存儲的定義，大家可能

一. 前言 大聯大集團針對 DDR 相關技術整理了一系列博文，其中也包含了 Micron DDR 的相關技術。下圖為詳細的博文索引架構筆者希望能夠透過這些博文協助大家更了解 DDR 的相關技術，未來筆者也會持續更新此系列的相關博文還懇請支持！而本篇博文會針對 DDR 相關技術索引架構中的 【ATU

在一般測試DDR3時, 偶爾會遇到VOH(dc)測試值 > 規格值(如下圖範例); 經與原廠FAE 討論整理如下: 究其原因是由於CPU 端有使用 ODT 的關係，如下等效電路圖顯示 RTT 所產生的電流與會有分壓的效應, 導致高位準無法到 VDDQ及低位準無法到 0V 的現象。 以Winbond

根據 Ericsson 在 2020 年 6 月發佈的行動裝置市場報告指出，包括 NB-IoT 和 Cat-M 在內的大規模物聯網 (Massive IoT) 將持續部署到全球各地。但由於新冠肺炎阻礙了運輸，使得滲透率低於我們的預期，大部分物聯網應用仍經由 2G 或 3G 技術連接。2019 年大規

常常遇到客戶提問的問題就是DDR4 3200 是否向下相容2666 ;2400;1866呢? 答案是肯定有的。 因為DRAM大廠遵循JEDEC standard 規範與標準。 以下是美光DDR4 規格書中Backward Compatibility list . 它明確的告知 -062 DDR4 3

在高溫環境如何維持DRAM 資料的穩定性？ 規格書上已說明，2倍的刷新率在DRAM TC (case)溫度高於85。C時！ 在高溫下的環境這方法是必要的，但兩倍的刷新率帶來就是更高功耗！

SDRAM 技术发展历程 在讲 SDRAM 发展史之前先普及一个分类概念，从 RAM 说起，RAM（Random Access Memory）即随机存储器可分为两类，一类是动态随机存储器（Dynamic RAM，DRAM），另一类是静态随机存储器（Static RAM，SRAM）。由于 DRAM 具