2024年，面對充滿挑戰且不確定的市場環境，英飛凌始終秉持創新驅動技術領先的原則，不斷突破技術與產品性能的邊界，接連推出了多款重量級產品。今日，小編帶你一起盤點2024年的高光時刻。      全新2000V CoolSiC™ MOSFET和二極體，業界首發   作為市面上第一款擊穿電壓達到2000

 新品  750V 8mΩ CoolSiC™ MOSFET 採用TO-247-4封裝的新型CoolSiC™ MOSFET 750V G1是高度堅固的SiC MOSFET，具有最佳的系統性能和可靠性。CoolSiC™ MOSFET 750V充分利用了英飛凌20多年的SiC經驗。它在性能、可靠性和堅固性

高壓CoolGaN™ GIT HEMT（高電子遷移率電晶體）可靠性和驗證的白皮書共33頁，被翻譯成中文和日文，主要介紹了英飛凌如何實現CoolGaN™技術和器件使用壽命，且大幅超過標準的規定，詳細闡述了英飛凌用於驗證CoolGaN™器件的四個方面的流程。   矽的故障機制清晰，驗證方法非常成熟，但傳

英飛凌科技股份公司推出適用於IGBT、SiC和GaN柵極驅動器電源的EiceDRIVER™ Power 2EP1xxR全橋變壓器驅動器系列。2EP1xxR系列擴大了英飛凌功率器件產品陣容，為設計人員提供了隔離式柵極驅動器電源解決方案。該系列半導體器件可以幫助實現非對稱輸出電壓，以經濟高效、節省空間的

 本文作者  作者 Gunar Lorenz博士 英飛凌科技公司 技術市場高級總監 & 校對 丁越 英飛凌消費、計算與通訊業務大中華區 首席工程師      導言    在英飛凌，我們一直堅信卓越的音頻解決方案對於提升消費類設備的用戶體驗至關重要。我們堅定不移地致力於創新，在主動降噪、語音透傳、錄音

 新品  6EDL04x065xT系列三相柵極驅動器 650V三相柵極驅動器，帶過電流保護(OCP)、使能(EN)、故障檢測和集成自舉二極體(BSD)   產品型號： ■ 6EDL04I065NT ■ 6EDL04I065PT ■ 6EDL04N065PT    產品特點  英飛凌薄膜-SOI技術

 新品  6EDL04x065xR和6EDL04N03PR 系列三相柵極驅動器 650V和300V三相柵極驅動器，帶過電流保護(OCP)、使能(EN)、故障檢測和集成自舉二極體(BSD)   產品型號： ■ 6EDL04I065NR ■ 6EDL04I065PR ■ 6EDL04N065PR ■ 6

 新品  3300V,1600A二極體IHV B模塊 知名的IHV B IHV B 3.3kV單開關IGBT模塊經過了重大改進，以滿足牽引和工業應用（如中壓傳動或HVDC）當前和未來的要求。 這是首次擴展二極體產品組合，DD1600S33HE4是同類最佳的3.3kV二極體模塊，足以取代原來2個雙二極

在近期舉辦的創新支付和身份認證解決方案展覽會（TRUSTECH）上，英飛凌在展台打造了一個未來主義環保公園，展示了包括由可持續材料製成的環保支付卡、可靈活選擇註冊方式的生物識別支付卡，以及使用各種電子身份證件和帶有超薄電子資料頁的護照在鑒權場景中的交互應用等。      英飛凌的創新支付與身份認證解

對實現下一階段自動駕駛而言，在密集的城市環境中探測行人是一項挑戰。為達到SAE定義的L2+至L4自動駕駛要求，開發新一代4D和成像雷達至關重要。 為此，英飛凌發布了其新一代先進的RASIC™ CTRX8191F 28nm雷達 MMIC晶片。該晶片專為自動駕駛而設計，能在低系統成本下實現高性能，並推動