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美光Nor flash 規格書明確說明 Vcc overshoot 大於Vccmax+2.0V，20ns區間即有風險造成不可逆的損壞! VIH overshoot 大於Vccmax+1.0V ,2ns區間=> 即有風險造成不可逆的損壞! 參考來源美光官網: https://www.micron.co

MICRON 3500 NVMe SSD   Product Highlights PCIe Gen 4x4 性能產品。 為全球首款具有200+層NAND的高效能客戶端NVMe SSD。 產品開發、工程建模、科學、醫療、媒體、能源和其他數據密集型應用程式借助這款 SSD 蓬勃發展。以及為 PC 提供

      据了解JEDEC（固态存储协会）在2022年正式公布了JESD220F标准文档，也就是UFS 4.0闪存正式版。其中UFS是Universal Flash Storage（通用闪存存储）的缩写，代表一种广泛用于移动计算平台（手机、平板等）高性能接口。新一代UFS 4.0在互连层上遵循MI

1-1 Micron 隨著近幾年 PCIe Gen 4&5 技術及 NVMe SSD 在storage的快速發展 ,   美光宣布其首款CXL 2.0內存擴展樣品已經正式可用，這些Modules  可為server 提供更容易獲取的，低成本的DRAM內存。增加處理器內核只是解決許多應用計算難題的一部

7月26日，美光宣布推出業界首款8層24GB HBM（高帶寬內存）3 Gen2內存芯片，它是HBM3的下一代產品，采用1β工藝節點。這意味著美光成為業界第一個製造出第二代HBM3內存的廠商。 這款內存芯片總帶寬超過1.2TB/s，引腳速度超過9.2Gb/s，比HBM3提高50%。此外，HBM3Gen

半導體產業步入下行周期之際，2023年ChatGPT的“走紅”為產業帶來新的發展方向：AI人工智慧。 ChatGPT正掀起一場聲勢浩大的AI浪潮，AI時代下，為滿足海量數據存儲以及日益增長的繁重計算要求，半導體存儲器領域也迎來新的變革，HBM技術從幕後走向台前，未來前景可期。 突破“內存牆”瓶頸，H

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1. 搭配 iMX8M Mini processor 對於 Micron LPDDR4 32Gb (Z42M) 1 -alpha process 相容性訊號量測.      證實Micron LPDDR4 新製程 1 -alpha相容於 iMX8M platform.  2. DDR系統屬於高速 i

一. 前言 世平集團針對 DDR 相關技術整理了一系列博文，其中也包含了 Micron DDR 的相關技術。下圖為詳細的博文索引架構筆者希望能夠透過這些博文協助大家更了解 DDR 的相關技術，未來筆者也會持續更新此系列的相關博文還懇請支持！而本篇博文會針對 DDR 相關技術索引架構中的【ATU Bo