東芝電子元件及存儲装置株式會社推出了TLP5751H，TLP5752H和TLP5754H，
使用SO6L封装的光耦產品，可以隔離中小容量的IGBT和MOSFET的驅動閘極。
新產品的工作温度（最大值）從现有產品[1]的110°C提高到125°。
其主要特性指定了其工作温度額定值為Ta＝-40至＋125°C，使其更容易設計和保持温度。
該封装輕薄小巧，最大高度為2.3mm，有助於提高系統板上部件布置的靈活性。此外，
該封装可以安裝於以往產品[2]采用的SDIP6封装[3]的型式上。因此，產品可以安裝在背板或高度受限制的地方，取代以往產品。
使用SO6L封装的光耦產品，可以隔離中小容量的IGBT和MOSFET的驅動閘極。
新產品的工作温度（最大值）從现有產品[1]的110°C提高到125°。
其主要特性指定了其工作温度額定值為Ta＝-40至＋125°C，使其更容易設計和保持温度。
該封装輕薄小巧，最大高度為2.3mm，有助於提高系統板上部件布置的靈活性。此外，
該封装可以安裝於以往產品[2]采用的SDIP6封装[3]的型式上。因此，產品可以安裝在背板或高度受限制的地方，取代以往產品。
應用範例:TLP5751 and TLP5752
應用範例:TLP5754
注：
[1] 現有產品：TLP5751，TLP5752，TLP5754
[2] 以往產品：TLP700H，TLP701H
[3] 封装告訴：4.15mm（最大值）
特性
- 峰值輸出電流额定值（@Ta＝-40至+125 °C）：
IOP＝±1.0A（TLP5751H）
IOP＝±2.5A（TLP5752H）
IOP＝±4.0A（TLP5754H）
應用
IGBT和MOSFET的隔離閘極驅動電路
- 工業設備（工業逆變器和光伏逆變器功率調節器等）
- 家電設備（空調變頻器等）
參考來源