NXP Active Bridge Rectifier Controller TEA2209T 搭配不同MOSFET比較

TEA2209T是新一代有源橋式整流控制器產品，主要功能在於替代傳統的二極管橋。將TEA2209T與低電阻的外部MOSFET配合使用，可消除典型整流器二極管正向傳導損耗，從而顯著提高功率轉換器的效率，產品功能方塊圖如下，內部可自高壓端汲取所需VCC電源，不需要額外的線路供應，所以線路相當精簡。

產品特點：極低IC功耗(2 mW)、集成高壓電平轉換器、集成X電容放電(2 mA)、自供電、外部零件數量很少、直接驅動所有四個整流器MOSFET。

產品家族系列：此產品共有三個系列，依序為TEA2206T，取代橋式整流的兩個下臂Diode，提升的效率約為另外兩個的一半，也可以搭配Bridgeless PFC使用，接下來是TEA2208T完整取代橋式整流的四個Diode，還有TEA2209T，與前一個差異是多了Enable控制 Pin，可以設計在輕載時，讓IC進入休眠待命，已達到更省電的目的，簡易的比較圖如下。

測試的環境：此次測試是採用TEA2016AAT 240W EVM，測試的線路圖和PCB照片如下，使用PFC Gate訊號，來控制輕載時停止動作。

此次測試選用的MOS規格，是Infineon的IPT60R065S7、IPT60R028G7、IPT60R022S7，同一個產品系列，差別在於RDS (on)分別為65mR、28 mR、22 mR，測試的儀器AC source : Chroma 61520，Power meter : Chroma 66202，DC load : Chroma 63103A，測試的數據圖如下：

從上面的數據可以發現，在AC 115V時，相對於傳統的橋式整流，效率都有所提升，但最好的並非是RDS (on)最低的，以這三個規格來說，28mR是表現較好的；而在AC 230V時，滿載時效率反而不一定比傳統的橋式整流好，因為此時的AC電流較小，在於驅動的損耗比例就會增加；所以有源橋式整流控制效率優化，是在於電流較大時，較為有優勢，而MOSFET RDS (on)的選擇，則要根據使用功率的條件來選擇，並非用越低的就是越好，若驅動的損耗大於RDS (on)所改善的，則整體效率反而會變差。

參考資料：NXP

Data Sheet

TEA2206T

TEA2208T

TEA2209T

 User Guide
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