因雲端 & 5G & IoT物聯網迅速的崛起，使得高速運算的需求也倍數的提升，而越高的運算能力也就需要更高功率電源的供給，而Infineon 的ICE3PCS03G產品正是適合高於1KW PFC 電源供應器的產品。
但因PFC設計需要考量的面向很廣，本文提供重要元件的快速計算，讓RD得以迅速的選擇出適合的物料做設計。
以下是我們預計做的1.2KW PFC power的規格:
1.變壓器感量的設計可以由輸出功率(Po),輸入最低交流電壓(Vac_min),輸出電流漣波百分比(%Ripple),輸出電壓(Vo),PFC控制器工作週期(T)這幾個參數，帶入以下公式，可得到:
2.輸入端橋式整流二極體規格:
若假設橋整二極體單一顆導通壓降為Vf.bridge=1V，則可以計算出所需要承受的功率損耗
3.PFC mosfet正常理想情況下，只需要承受Vo輸出電壓(=400V)，因考量異常狀況(動態響應&雷擊...等)，一般會採用600V的耐壓
但因PFC設計需要考量的面向很廣，本文提供重要元件的快速計算，讓RD得以迅速的選擇出適合的物料做設計。
以下是我們預計做的1.2KW PFC power的規格:
1.變壓器感量的設計可以由輸出功率(Po),輸入最低交流電壓(Vac_min),輸出電流漣波百分比(%Ripple),輸出電壓(Vo),PFC控制器工作週期(T)這幾個參數，帶入以下公式，可得到:
2.輸入端橋式整流二極體規格:
若假設橋整二極體單一顆導通壓降為Vf.bridge=1V，則可以計算出所需要承受的功率損耗
3.PFC mosfet正常理想情況下，只需要承受Vo輸出電壓(=400V)，因考量異常狀況(動態響應&雷擊...等)，一般會採用600V的耐壓
而所需要的耐流規格，計算如下，一般還會抓大1.5倍的承受力，確保產品穩定度。
4.PFC Diode正常理想情況下，只需要承受Vo輸出電壓(=400V)，因考量異常狀況(動態響應&雷擊...等)，一般會採用600V的耐壓
而所需要的耐流規格，計算如下，一般還會抓大1.5倍的承受力，確保產品穩定度。
若假設PFC Diode單一顆導通壓降為Vf.bridge=1.5V，則可以計算出所需要承受的功率損耗
PS:SiC PFC diode通常有較低的逆向電流恢復時間，但導通壓降為Vf.bridge會較大，約為1.5V
5.最後端的輸出電容，可以由輸出維持時間(t_hold)規格，計算出所需規格如下
以上就是PFC 電源主要的材料選型技巧，你們都學會了嗎?