Infineon 推 D2PAK-7封裝 650 V CoolSiC™ MOSFET 產品介紹

SiC MOSFET 功率器件近年來越來越廣泛被應用於大功率電源及電源轉換效率的也被重視。為了順應當下全球發展大勢並滿足相關市場需求，英飛凌推出了650 V CoolSiC^TM MOSFET系列新產品。

該產品具有高可靠性、易用性和經濟實用等特點，能夠提供卓越的性能。這些SiC元件採用了英飛凌先進的SiC溝槽式工藝、精簡的D2PAK表面貼裝7引腳封裝和.XT互連技術，廣泛適用於大功率應用，包括伺服器、電信設備、工業SMPS、電動汽車快速充電、馬達驅動、太陽能系統、儲能系統等。

外觀

                                  

特徵描述

• 低 Q_rr和 Q_oss
• 低開關損耗
• 換向穩健型快速體二極體
• 先進溝槽技術帶來出色的柵極氧化物可靠性
• 採用 . XT 互連技術，實現卓越的熱性能
• 雪崩能力更強
• SMD 封裝，可直接集成至 PCB
• 用於優化開關性能的感測引腳

優勢

• 高性能、高可靠性且易於使用
• 高系統效率和高功率密度
• 降低系統成本和複雜度
• 打造成本更低、結構更簡單且尺寸更小的系統
• 採用連續硬換向拓撲
• 適於高溫和惡劣的工作環境
• 實現雙向拓撲

潛在應用

• 伺服器
• 電信
• 開關電源（SMPS）
• 太陽能系統
• 儲能和電池系統
• 不間斷電源（UPS）
• 電動汽車充電
• 電機驅動器