緣由
數據中心採用強大的 ASIC，例如 CPU、GPU、機器學習加速器、 消耗大量電流的網絡交換機、服務器等，例如，高達千安培，並在其功率需求中迅速變化。 多相電壓調節器 (VR) 傳統上用於為此類負載供電。 為了跟上不斷增加的安培數和 負載帶寬、不斷的增加VR 的相數及其輸出電容。 這些都在一定程度上改善了傳統VR的瞬態響應； 然而，由於其較大的輸出阻抗，去耦電容（多層陶瓷或聚合物類型）和去耦電容的距離負載，傳統 VR 正在達到性能極限，例如，根據瞬態響應和電流源能力。
其他改進傳統 VR 的技術，例如提高開關頻率和或減少電感量，雖然改善了瞬態響應，但是付出效率較低的代價。耦合電感技術具有相對較低的漏電感，因此相對較快瞬態響應。 但是它包含太多跨應用程序的庫存單元，並且也很難製造。
TLVR
Trans Inductor Voltage Regulator
意即利用耦合電感次級繞組串聯調諧電感來增加耦合電流，進而快速增加暫態電流響應速度
TLVR Topology: Trans Inductor VR
標準的每相電感被高耦合的 1:1 變壓器電感取代係數(Kps~= 1).
Single-secondary TLVR
Transinductor 是一種變壓器，其輸出電感為被認為是變壓器的次級繞組，其中一個單獨的初級繞組緊密耦合到次級與可忽略不計的漏感。
初級（外）繞組承載每相電流。 DCR 是與標準電感器相當。
次級（內部）繞組串聯連接，並且電耦合所有相。 這些繞組不承載直流電流。
補償電感 Lc 用於設置有效所有相位之間的耦合（涉及瞬態性能）， 其中所有初級繞組都連接在一個串聯迴路中 附加補償電感Lc，並正確接地。
TLVR Transient Step-Up Behavior
在瞬態負載階躍期間，Lc兩端的電壓增加，這反過來又增加了Lc電感電流。 通過Lc的電流耦合到每相的次級繞組。 所有階段增加在此期間相同的耦合電流。 結果是穩壓器提供更多瞬態電流以幫助降低輸出電容器的放電，得到更快的瞬態響應和更好的電壓下降控制。
注意：過快的瞬態響應會使輸出電壓的回鈴過大
TLVR Transient Step-Down Behavior
在瞬態負載釋放期間，Lc兩端的電壓降低，這反過來又降低了Lc電感電流。 通過Lc的電流耦合到每相的次級繞組。 所有階段在此期間增加相同的耦合電流。 結果是調節器提供更多以幫助減少輸出電容的放電，導致更快的瞬態響應和更好的電壓過衝控制。
電源元件的考慮
後言
TLVR的特性使電流的暫態響應更好，更能應付新一代功耗越來越大的伺服器，雖然dI/dt增加會使各種元件損失增加，但比起來使用較高電感值會使整體效率增加更好 ，輸出電容的數量也可以減少。
"以上出處皆來自onsemi "
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