前照式 與 背照式 CMOS sensor 概論

前照式CMOS ( FrontSide Illumination，簡寫為 FSI)

CMOS 是由很多個層別所構成, 在傳統 FSI sensor  結構中，由上至下主要為 微鏡頭（Micro-lens）、彩色濾光鏡（Color Filter）、電路層（Wiring Layers）和光電二極體（Photodiodes）。
這幾個層面所構成

這樣子的結構,相信大家都可以明顯看出來：中間的電路層所佔據的面積極大，光電二極體能夠佔的面積就小，CMOS 實際從外部近來的光線就少。 對於一些像是手機、等小型影像設備來說，
就表示這樣的結構難以再讓光源量加大也就是成像質量難以再提升，其中最容易發現的就是在高 ISO 或低照度時拍攝時的噪點、雜訊明顯偏多。 

背照式CMOS (Back-Illuminated CMOS，簡寫為 BSI)

 在背照式 BSI sensor 的 結構中，我們將光電二極體和電路層的的位置做了上下調換，自上至下依次為微透鏡（Micro-lens）、彩色濾光鏡（Color Filter）、光電二極體（Photodiodes）和電路層（Wiring Layers）。 

1. 光電二極體可以接收到更多外部的光源使得 CMOS 能提升影像靈敏度和信噪比，改善高 ISO 以及低照度下的成像品質。

2. 有足夠大的面積可以讓電路使用,無需再和光電二極體影響，可以設計更高速的電路，以達到高像素 ,高速,連拍等功能。