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1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 S7
8-120A 1200V的TRENCHSTOP™ IGBT7 S7，TO-247封裝分立器件，可快速、方便地替換上一代T2晶片產品系列
產品型號：
▪️ IGQ120N120S7
▪️ IGQ100N120S7
▪️ IGQ75N120S7
▪️ IKQ120N120CS7
▪️ IKQ75N120CS7
▪️ IKZA40N120CS7
8-120A 1200V的TRENCHSTOP™ IGBT7 S7，TO-247封裝分立器件，配EC7續流二極體。它具有低飽和壓降VCEsat，以實現目標應用中非常低的導通損耗。
續流二極體EC7是特性非常軟的二極體，有助於最大限度地減少開關損耗，從而實現整體的低總損耗。
產品特點
- 非常低飽和壓降VCEsat=2V (VGE=15V,Ic nom, Tvj=175◦C)
- 良好的可控性
- 軟特性優化的全額定電流的續流二極體
- 對惡劣條件魯棒性和HV-H3TRB
- 短路時間為8µs
- 非常窄的參數分布
- 最大工作Tj為175°C
特性圖
動態特性和靜態特性
應用價值
• IGBT的損耗最低，系統效率高，可實現更高的功率輸出
• 更高的功率密度，無需重新設計散熱器
• 可快速、方便地替換上一代T2晶片產品系列
• 在惡劣的工作條件下，器件可靠性高
• 易於設計以滿足EMI要求高可靠性和耐久性
競爭優勢
用於工業驅動應用的最佳晶片技術和產品
總損耗較低產品，從8A到120A的額定電流
生產中非常窄的參數分布，以保證英飛凌的質量標準
抗濕度堅固性
英飛凌是功率半導體領域的佼佼者，擁有世界一流的前道和後道能力
世界級的生產、質量和業務連續性支持
應用領域
文章來源：英飛凌工業半導體
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