採用新 110 nm 製程, S08N 封裝的新1Mbit, I2C EEPROM
產品說明
採用先進EEPROM工藝、S08N封裝的1 Mb EEPROM現已推出，可用於電子計量模塊、工業和服務器應用。器件地址寄存器可通過軟體配置，在同一I2C總線上應用多個EEPROM時，可簡化操作。這款產品具備標識頁面，可提供一個用於存儲絕對敏感應用參數的空間。時鐘頻率最高達1 MHz，有助於縮短模塊喚醒時間和通信時間。編程時間縮短為4 ms，數據存儲速度更快。此外，新設計僅有5個有效引腳（而不是8個），能夠有效降低PCB成本。最後，該產品採用先進的110 nm工藝，可顯著降低功耗。
產品特色
• 1 Mb (128 KB) EEPROM
• SO8N JEDEC封裝
• 有效引腳減少為5個（Vss、Vcc、SDA、SCL、WC）
• 可配置器件地址寄存器
• 軟體寫保護寄存器
• 在1.6 V到5.5 V電壓範圍內可實現極速模式 (1 MHz)
• 溫度範圍-40°C至+85°C
• 其他特性：
－標識頁面
－256字節/頁
－4 ms字節和頁面寫入時間
－25°C下400萬次寫循環
－數據保存時間長達200年
－ESD HBM 4000V
產品優勢
• 以極低電壓 (1.6 V) 實現快速喚醒和快速通信
• 可通過軟體配置，便於在I2C總線上靈活應用多個存儲器
• 硬體和軟體數據保護
• 高耐用性
• 從長遠角度來看，採用新工藝的解決方案與採用原有工藝的1 Mb存儲器相比更具成本效益
• 每個晶圓上的晶粒數量更多，因此可實現更高的可用性
推薦應用
電子計量模塊、服務器、工業應用及當前使用以下產品的所有應用：M24M01-RMN6TP、M24M01-DFMN6TP
原廠產品介紹：M24M01E-FMN6TP 點擊鏈接→
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