N溝道800V STPOWER MOSFET MDmesh™ K6系列，515 mΩ典型值，7 A MDmesh K6功率MOSFET， 採用TO-220封裝
產品說明
這款超高電壓N溝道功率MOSFET依託意法半導體20年的超結技術經驗，採用終極MDmesh™ K6技術設計而成。設計出的產品具有極低的單位面積導通電阻和柵極電荷，非常適合需要超高功率密度和高效率的應用。
產品特色
全球領先的RDS(on)*面積
高功率密度
極低的柵極電荷
經過100%雪崩測試
穩壓保護
產品優勢
設計複雜度降低，效率提高
專門針對反激式LED驅動器拓撲設計，可實現更高的功率密度
降低了板件BOM成本，縮小了板件尺寸
推薦應用
LED照明
適配器和充電器
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