Infineon Si mos與SiC mos 產品趨勢及應用(二)

由於第三代半導體的發展，對於Si mos 與 SiC mos 如下幾個的差異性來做說明

一. 驅動電壓之影響

Si-Mos與SiC-Mos相比，驅動電壓即閘極－源極間電壓Vgs越高導通而對ID電流的影響會有所不同。下圖表示為ID電流與Vgs的關係。所以SiC mos Vgs導通電壓建議須要比Si Mos 高一些，來達到較高的ID電流。

二. 關鍵品質因素之影響

如下以Infineon C7、CFD7、SiC mos 來舉例說明。
Si-Mos與SiC-Mos 因材料性的不一樣，所以如下關鍵品質因素(Qoss、Qrr、Eoss、Qg) 參數也跟著不同，這些參數影響的層面在於溫度上及效率上的表現，這些參數也是在設計者須要做為參考的依據來選擇合適的產品規格條件之一

三. 導通電阻與Tj 的關係

如下圖，以Si mos 、SiC mos、GaN mos 在Rdson與Tj 比較下，在相同的Tj 溫度下SiC mos 在Rdson 的表現上較其它兩種材料來的更低，這也代表Rdson 較不受溫度的影響，也由此可知，較適合用於高功率的產品設計中。

出處來源:https://www.infineon.com/cms/en/