英飛凌推出全新62mm封裝CoolSiC™產品組合，助力實現更高效率和功率密度

增強型M1H晶片技術顯著拓寬了柵極電壓窗口，即使在高開關頻率下，不需任何限制，也能確保柵極應對驅動器和布局引起的感應電壓尖峰時的高可靠性。此外，極低的開關損耗和導通損耗可以最大限度地降低散熱需求。2000V的電壓等級，滿足現代系統設計中的高耐壓要求。藉助英飛凌CoolSiC™晶片技術，變換器的設計可以變得更有效率，單個逆變器的額定功率得以進一步提高，從而降低整體系統成本。

62mm採用銅基板設計和螺母功率端子，該封裝是高魯棒性的結構設計，可提高系統可用性、降低服務成本和減少停機損失。通過強大的溫度周次能力和150°C的連續運行結溫（Tvjop）實現出色的可靠性。其對稱的內部封裝設計使得橋臂中上下管具有相同的開關條件。可以選裝預塗熱界面材料（TIM），進一步提高模塊的熱性能。