SEMIDRIVE G9Q 低溫測試出現系統死機調試要點

一、 前言

        客戶用芯馳 G9Q 平台做的車載網關產品，在做低溫 -40℃ 測試過程中出現系統死機，常溫下機器可以正常開機。



二、 SEMIDRIVE G9Q 低溫測試出現系統死機調試要點

       ① 拿到客戶的板子和原理圖後，開始調試。

       ② 測試小系統的各路供電電壓 0.82V、1.1V、1.8V、3.3V 均正常。接著測試各路電壓紋波時，發現 VDD_CPU的紋波比較差，有 60mV 左右，正常的紋波應該在 40mV 左右。

                                                                                                                                                   ▲ 圖 1   優化前 VDD_CPU 紋波

       ③ 查看原理圖，VDD_CPU 這路電源用的是 MPQ2167AGQE，VDD_AP 用的也是 MPQ2167AGQE，我們測量VDD_AP 的紋波是正常的，在40mV 左右，VDD_CPU 和 VDD_AP 的電壓相同，都是 0.82V，根據時序圖，這兩路電壓是同時上電，於是我們試著讓 VDD_CPU 這路電源不工作，把 R805 斷開，然後飛線把 VDD_CPU 連接到VDD_AP 上，改好電路後，再測試 VDD_CPU 的紋波有改善，在 40mV 左右。

▲ 圖 2   優化後 VDD_CPU 紋波

   ④ VDD_CPU 紋波比較差的問題，最終需要客戶從 PCB 布局和走線上去排查。我們因為沒有客戶的 PCB 資料，這裡不做討論，只定位問題。

   ⑤ 測試小系統的上下電時序，發現 AP 域（AP_0V8）上電比較慢，滯後於 VDD_1V8，正常的時序應該是 AP_0V8最先上電。

▲ 圖 3   優化前 AP_0V8 上電時序圖

    ⑥ 查看原理圖，調整電源 AP_0V8 的上電時間，把電容 C920 的容量由 0.1uF 改為 4.7 nF，這樣可以減小電源MPQ2167AGQE 的上電延時。

▲ 圖 4  AP_0V8 電路圖

    ⑦ 對電源 AP_0V8 的上電延時優化後，測試上電時序波形滿足要求。

▲ 圖 5   優化後 AP_0V8 上電時序圖

  ⑧ 我們把硬體優化同步給客戶，客戶把硬體更新後，做低溫 -40℃ 測試，沒有出現系統死機的問題。

      以上便是芯馳 SEMIDRIVE G9Q 低溫測試出現系統死機調試要點。

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附錄：參考文獻

      ①《 SD004_G9X_REF_A03_SCH 》

      ②《 G9X 處理器硬體設計指南_Rev0.9.2 》

      ③《 G9Q 處理器數據手冊_Rev04.03 》