作者：英飛凌工業半導體 Maggie 英飛凌IGBT7單管系列，作為目前炙手可熱的光儲應用新星產品，正受到眾多玩家的追捧。本篇文章特地為大家貼心整理該系列產品的核心知識大全，希望大家買得放心，用得順手~
更全型號選擇，總有一款適合你
IGBT7 S7和T7系列主要面向需要短路電流能力的應用，例如馬達驅動。該系列可實現更高的功率輸出以及更高的功率密度，無需重新設計散熱器，縮短設計周期和降低設計成本。
H7採用最新型微溝槽柵技術，通過優化元胞結構，極大程度上降低了器件的導通損耗和開關損耗。650V H7晶片開關頻率最高可達100kHz，1200V H7晶片最高開關頻率可達40kHz，適合追求高效率、低損耗的各種應用。H7最大電流140A為市場首發，而英飛凌上一代1200V高速單管Highspeed3 H3的最大電流規格僅為75A。
1200V IGBT7與前代IGBT性能對比
650V IGBT7與前代IGBT性能對比
封裝升級，性能更優
IGBT7單管系列部分產品採用新的TO-247-3-HCC封裝，增加了爬電距離和電氣間隙。
非對稱TO-247-4p封裝IKZA系列，降低了輔助發射極和柵極引腳的寬度，避免焊接時連錫的現象，使安裝更容易，可靠性更高。
高可靠性，適用戶外場景
IGBT7單管全系列（T7,S7,H7）在晶片工藝、封裝各方面做了優化，具有出色的防潮性能以及抗宇宙射線能力，可在惡劣環境中可靠運行。該器件通過了JEDEC 47/20/22的相關測試，特別是HV-H3TRB，符合工業應用標準，因此非常適用於光伏、儲能、充電樁等戶外的場景應用。
未來英飛凌科技將持續產品創新與技術優化，以客戶為中心，為客戶創造更大價值。
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