ST 意法半導體車規MDmesh DM9超結MOSFET提升矽片能效

STPOWER MDmesh DM9 AG系列的車規600V/650V超結 MOSFET為車載充電機(OBC)和採用軟硬體開關拓撲的DC/DC轉換器應用帶來卓越的能效和魯棒性。

 

這些矽基電晶體具有出色的單位晶片面積導通電阻R_DS(on)和非常低的柵極電荷，兼備很低的能量損耗和優異的開關性能，同時，品質因數成為新的市場標杆。與上一代產品相比，意法半導體最新的MDmesh DM9 技術確保柵源閾值電壓(V_GS(th)) 分布更窄，使開關波形更加銳利，導通和關斷損耗更低。

 

此外，新產品還提高了體二極體反向恢復性能，所採用新的優化工藝提高了 MOSFET 的整體魯棒性。體二極體的低反向恢復電荷 (Q_rr) 和快速恢復時間 (t_rr) 使MDmesh DM9 AG系列非常適對能效要求很高的相移零壓開關拓撲。

 

該系列提供各種通孔和表面貼裝封裝，幫助設計人員實現緊湊的外形尺寸、高功率密度和系統可靠性。TO-247 LL（長引線）是一種深受市場歡迎的通孔封裝，可以簡化器件在設計中的集成，並沿用成熟的封裝工藝。在表面貼裝封裝中，H2PAK-2（2 引線）和 H2PAK-7（7 引線）適用於有散熱基板的底部散熱設計或有熱通孔或其他增強散熱功能的 PCB板。兩款新產品還提供 HU3PAK和ACEPACK™ SMIT頂部散熱表面貼裝封裝。

 

STPOWER MDmesh DM9 AG系列的第一款產品STH60N099DM9-2AG，是一款採用H2PAK-2封裝符合 AEC-Q101標準的 27A N溝道 600V 器件，典型導通電阻 R_DS(on) 為 76mΩ。 意法半導體將擴大該產品系列，提供型號齊全的產品，涵蓋更寬的額定電流範圍和 23mΩ 到 150mΩ 的 導通電阻R_DS(on)。

 

STH60N099DM9-2AG已上架意法半導體電子商城ST eStore。

 

詳情請訪問 www.st.com/dm9-superjunction-mosfets。