英飛凌為汽車應用推出業內導通電阻最低的 80 V MOSFET OptiMOS™ 7
英飛凌科技推出其最新先進功率MOSFET 技術—— OptiMOS™ 7 80 V的首款產品IAUCN08S7N013。該產品的特點包括功率密度顯著提高，和採用通用且穩健的高電流SSO8 5 x 6 mm² SMD封裝。這款OptiMOS™ 7 80 V產品非常適合即將推出的 48 V板網應用。它專為滿足高要求汽車應用所需的高性能、高質量和穩健性而打造，包括電動汽車的汽車直流-直流轉換器、48 V電機控制（例如電動助力轉向系統（EPS））、48 V電池開關以及電動兩輪車和三輪車等。
TDSON汽車OptiMOS™ 7
與上一代產品相比，英飛凌IAUCN08S7N013的RDS(on)降低了50%以上，最高不超過1.3 mΩ，達到目前業內的領先水平。該產品以5 x 6 mm² 封裝實現了更小的傳導損耗、超強的開關性能和更高的功率密度等優點。此外，IAUCN08S7N013 還具有封裝電阻和電感低以及抗雪崩電流能力強的特點。該半導體器件在汽車應用方面已取得 AEC-Q101標準以上的認證。
供貨情況
IAUCN08S7N013 現已量產並上市。
點擊此處，了解更多信息。
英飛凌推出用於功率MOSFET的新型SSO10T TSC頂部冷卻封裝， 為現代汽車應用提供更高效率
英飛凌科技推出採用 OptiMOS™ MOSFET技術的SSO10T TSC 封裝。該封裝採用頂部直接冷卻技術，具有出色的熱性能，可避免熱量傳入或經過汽車電子控制單元的印刷電路板（PCB）。該封裝能夠實現簡單、緊湊的雙面PCB設計，並更大程度地降低未來汽車電源設計的冷卻要求和系統成本。因此，SSO10T TSC適用於電動助力轉向（EPS）、電子機械制動（EMB）、配電、無刷直流驅動器（BLDC）、安全開關、反向電池和DCDC轉換器等應用。
PG-LHDSO-10-1-2-3組合
SSO10T TSC的占板面積為5 x 7 mm²，並且基於已確立的行業標準 SSO8（5 x 6 mm²的堅固外殼）。但由於採用了頂部冷卻，SSO10 TSC的性能比標準SSO8高出 20%以上，最高可高出50%（具體取決於所使用的熱界面（TIM）材料和TIM的厚度）。SSO10T TSC封裝被JEDEC列為開放市場產品，能夠與開放市場第二供應商的產品進行廣泛兼容。因此，該封裝可作為未來頂部冷卻標準快速、輕鬆地推出。
SSO10T半導體封裝能夠實現高度緊湊的PCB設計，減少系統占用空間。它還通過消除通孔降低了冷卻設計的成本，進而減少了整體系統成本和設計工作量。同時，該封裝還提供高功率密度和高效率，從而支持面向未來的可持續汽車的發展。
供貨情況
首批採用SSO10T的40 V汽車MOSFET產品現已上市,分別是：IAUCN04S6N007T；IAUCN04S6N009T；IAUCN04S6N013T；AUCN04S6N017T。
點擊此處，了解更多信息
想尋找更多應用或產品信息？
想聯繫我們購買產品？
歡迎掃描二維碼並填寫表單，
我們將後續跟進。
參考來源