ST 功率器件資訊

關鍵字 :M9DM9F8

5月以來,ST就功率器件發表F8 & M9/DM9 series相關的MOSFET 資訊,我們在此簡單了解一下:

一. F8 系列:

F8系列從F7延續而來,採用STPOWER STripFET F8技術,擴展了ST低壓MOSFET產品組合。STripFET F8技術可降低導通電阻和開關損耗,同時優化體二極體特性,節省能源,確保電源轉換、電機控制和配電電路中的低噪聲。ST’先進的STripFET F8技術通過低器件輸入電容確保出色的開關速度效率,從而最大限度地減少柵極漏電荷等動態參數,從而提高系統效率。設計人員可以選擇比 STtripFET F7 技術更高的開關頻率,從而允許使用更小的電容和磁性元件。其結果是電路尺寸更小,物料清單成本更低,最終應用的功率密度更高。同時該技術符合 AEC-Q101 標準,提供 30V 至 150V 的寬封裝解決方案,可滿足超高功率密度解決方案的所有要求。現在發布的幾款均為PowerFLAT5*6 封裝。

目前F8 系列產品共計6款:

Part Number

Package

VDSS (V)

RDS(on) (Ω) (@ V = 10V) max

Q (nC) typ

STL120N10F8

PowerFLAT 5x6

100

0.0046

56

STL160N10F8

PowerFLAT 5x6

100

0.0032

90

STL170N4LF8

PowerFLAT 5x6

40

0.0022

34.5

STL175N4LF8AG

PowerFLAT 5x6 WF

40

0.0022

34.5

STL320N4LF8

PowerFLAT 5x6

40

0.0008

96

STL325N4LF8AG

PowerFLAT 5x6 WF

40

0.00075

95


F8
性能優勢

  • 超低的導通損耗,低的開關損耗,提高了效率,使設計更加緊湊;
  • 體二極體平緩性和較低柵極-漏極電荷,確保開關性能超出客戶要求
  • 低EMI輻射
  • 更緊密的柵極閾值電壓分布,便於並聯
  • 支持更小的封裝解決方案


主要應用

         無人機;

        車身控制;

         BMS 電池管理等高附加值的產品。
       

二. M9/DM9系列

憑藉STPOWER MDmesh M9系列,ST為650 V/600 V超結技術樹立了標杆,這項技術性能出眾、簡單易用。此外,該系列還將推出具有250 V擊穿電壓的器件。創新型高壓超結STPOWER MDmesh M9系列可提供市面上最佳的品質因數 (RDSonmax x Qg),相比之前的技術通態電阻降低了約30%,使設計人員能夠提高功率密度並獲得更緊湊的系統解決方案。

先進的MDmesh DM9超結功率MOSFET是ST較新的快速恢復二極體MOSFET系列,針對全橋相移ZVS拓撲進行了優化。這些600和650 V快速恢復MOSFET包含符合AEC-Q101標準的器件,具有市場上出色的品質因數 (RDS(on) max x Qg)、超低反向恢復電荷和時間(Qrr、trr),與前一代相比,RDS(on)降低了46%。MDmesh DM9系列提供多種封裝選項,包括TO-247長引線、TO-220、H2PAK-2、TO-LL、PowerFLAT HV (8 x 8 mm) 和SOT223-2。這些功率MOSFET屬於STPOWER系列。

M9/DM9 目前推出共10款,其中M9 (7款)和DM9(3款):

Part Number

Package

RDS(on) (Ω) (@ VGS = 10V) max

Qg (nC) typ

Trr(nS)

Qrr(nC)

Irr(A)

STD65N160M9

DPAK

0.16

32

 

 

 

STP65N045M9

TO-220

0.045

80

 

 

 

STP65N150M9

TO-220

0.15

32

 

 

 

STW65N023M9-4

TO247-4

0.023

230

 

 

 

STW65N045M9-4

TO247-4

0.045

80

 

 

 

STWA65N023M9

TO-247 long leads

0.023

230

 

 

 

STWA65N045M9

TO-247 long leads

0.045

80

 

 

 

STH60N099DM9-2AG

H2PAK-2

0.099

44

130

800

10.5

STP60N043DM9

TO-220

0.043

78.6

170

1220

12

STWA60N043DM9

TO-247 long leads

0.043

78.6

165

1060

11

 

M9性能優勢:

  • 更高的功率密度、更低的導通損耗,以及更緊湊的解決方案
  • 低開關功率損耗帶來高效率和高開關速度
  • 更高的穩定性和可靠性,更低的設計複雜度

DM9 性能優勢:

  • 提高了功率等級
  • 高效率且具有更高的功率密度
  • 增強了系統可靠性和穩定性
  • 更高的工作頻率和更好的熱管理

主要應用

             太陽能逆變器;

             車載充電器 (OBC);

            用於EV/HEV的DC/DC轉換器;

            UPS和能源存儲系統;

           5G發電站;

            服務器;

M9&M5; DM9& DM5 導通電阻對比圖:


     

新的技術的革新,帶來產品更多的優勢。為產品更新換代,提供基礎。歡迎大家選用。

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