上一篇我們已經介紹了 TOSHIBA EAS規格了，本篇我們將介紹如何去計算與電流相關的雪崩能量。
首先我們先計算MOSFET的Tch 溫度,公式如下請參考公式1，
公式1：（註一：Avalanche Energy (EAS) caluculation of Power MOSFET）。
0.473 : 瓦數有效係數
Tch(Avalanche) :雪崩模式週期之間的峰值通道溫度
rth(ch-a)_tw: 雪崩週期的瞬態熱阻
tw : 雪崩時間
Ta : 環境溫度(初始溫度)
接著在雪崩期間，通道溫度應保持低於最大額定值，因此，最大通道溫度與雪崩之間的關係應先顯示電流，所以我們可以假設 Tch(Avalanche) = Tch(Max),則公式1, 可以修改為公式2，如下：
公式2：（註一：Avalanche Energy (EAS) caluculation of Power MOSFET）。
再來將雪崩週期的熱阻「rth(ch-a)_tw」可以從公式2，改為公式3如下，
公式3：（註一：Avalanche Energy (EAS) caluculation of Power MOSFET）。
下一步是考慮雪崩週期長度「tw」正常情況下，雪崩週期長度「tw」是使用參數
「L」根據 V=L dI/dtw 等公式計算得出的，但這個參數是未知的,因此我們要先去除"L"，使用另一個與時間相關的參數熱阻，雪崩週期的熱阻「rth(ch-a)_tw」是與雪崩週期相關的參數之一長度,大多數情況下雪崩週期tw 小於1ms.在這種情況下，熱生成集中在 MOSFET 晶片內部,熱阻可近似為下列公式4：
公式4：（註一：Avalanche Energy (EAS) caluculation of Power MOSFET）。
再來我們將公式3代入公式4,我們可以得到公式5,如下:
公式5：（註一：Avalanche Energy (EAS) caluculation of Power MOSFET）。
根據該公式5,我們可以根據測量值和EAS規格計算雪崩週期 tw範圍了。
下一篇我們將介紹先前有提到的參數L的計算,然後再舉一個實際案例分享。