上一篇我們已經介紹了 TOSHIBA EAS規格了,本篇我們將介紹如何去計算與電流相關的雪崩能量。
首先我們先計算MOSFET的Tch 溫度,公式如下請參考公式1,
公式1:(註一:Avalanche Energy (EAS) caluculation of Power MOSFET)。
0.473 : 瓦數有效係數
Tch(Avalanche) :雪崩模式週期之間的峰值通道溫度
rth(ch-a)_tw: 雪崩週期的瞬態熱阻
tw : 雪崩時間
Ta : 環境溫度(初始溫度)
接著在雪崩期間,通道溫度應保持低於最大額定值,因此,最大通道溫度與雪崩之間的關係應先顯示電流,所以我們可以假設 Tch(Avalanche) = Tch(Max),則公式1, 可以修改為公式2,如下:
公式2:(註一:Avalanche Energy (EAS) caluculation of Power MOSFET)。
再來將雪崩週期的熱阻「rth(ch-a)_tw」可以從公式2,改為公式3如下,
公式3:(註一:Avalanche Energy (EAS) caluculation of Power MOSFET)。
下一步是考慮雪崩週期長度「tw」正常情況下,雪崩週期長度「tw」是使用參數
「L」根據 V=L dI/dtw 等公式計算得出的,但這個參數是未知的,因此我們要先去除"L",使用另一個與時間相關的參數熱阻,雪崩週期的熱阻「rth(ch-a)_tw」是與雪崩週期相關的參數之一長度,大多數情況下雪崩週期tw 小於1ms.在這種情況下,熱生成集中在 MOSFET 晶片內部,熱阻可近似為下列公式4:
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公式4:(註一:Avalanche Energy (EAS) caluculation of Power MOSFET)。
再來我們將公式3代入公式4,我們可以得到公式5,如下:
![](https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/blog/2024/14795/tinymce/___________________2024-05-29_095851.png)
公式5:(註一:Avalanche Energy (EAS) caluculation of Power MOSFET)。
根據該公式5,我們可以根據測量值和EAS規格計算雪崩週期 tw範圍了。
下一篇我們將介紹先前有提到的參數L的計算,然後再舉一個實際案例分享。