擴大 U-MOSX-H 系列 150 V N 通道 MOSFET 的產品陣容，以降低電源功耗

東芝電子元件及儲存裝置株式會社（簡稱「東芝」 ） 現已推出兩款150 V N通道MOSFET產品，進一步拓展了此系列產品線。這兩款產品均採用新一代「U-MOSX-H系列」技術，適用於工業設備的電源供應器，可用於資料中心和通訊基地台。新產品採用貼片式SOP Advance(N)封裝， “TPH1100CQ5”和“TPH1400CQ5”產品的RDS(on)（最大值）分別為11.1 mΩ和14.1 mΩ 。

新產品TPH1100CQ5和TPH1400CQ5改善了逆向恢復^[1]特性，該特性在同步整流應用中至關重要。相較於東芝的現有產品TPH1400CQH ^[2] ， TPH1400CQ5的逆向恢復電荷減少了約73% ，逆向恢復時間快了約45% 。 TPH1400CQ5用於同步整流應用^[3] ，可降低電源供應器的功率損耗並有助於提高效率。
新產品同時也降低了MOSFET開關時汲極與源極之間產生的尖峰電壓^[4] ，有助於降低電源供應器的電磁干擾（ EMI ）。

東芝將持續擴大產品線以降低設備功耗。

圖片來源出處: 東芝半導體https://toshiba.semicon-storage.com/tw/company/news/new-products-share/transistor/mosfet-20240417-1d.html

註：

[1]MOSFET二極體從正向偏壓切換至逆向偏壓的開關動作。
[2]採用TPH1400CQ5同世代製程且電壓和RDS(on)相同的產品。
[3]如果TPH1400CQ5用於在非逆向恢復模式電路中，則功率損耗與TPH1400CQH相同。
[4]用於逆向恢復模式的電路時。

 

應用

• Switching Power Supplies（高效率AC-DC轉換器、高效率DC-DC轉換器等）
• 馬達控制設備（馬達驅動器等）

 

特性

• 逆向恢復電荷低：
  TPH1100CQ5 Q _rr ＝32 nC （典型值） （- dI _DR /dt＝100 A/ μs ）
  TPH1400CQ5 Q _rr ＝27 nC （典型值） （- dI _DR /dt＝100 A/ μs 000 A/ μs ）
• 逆向恢復時間短：

TPH1100CQ5 t _rr ＝38 ns（典型值）（- dI _DR /dt＝100 A/ μs ）
TPH1400CQ5 t _rr ＝36 ns（典型值）（- dI _DR /dt＝100 A/ μs ）

較高的通道耐溫： T _ch （最大值）＝175 °C

 

主要規格

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內部電路

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應用電路範例

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註：
本文所示之應用電路僅供參考。

特別是在量產設計階段需要進行全面評估。
提供這些應用電路範例並不授予任何工業產權許可。