本篇將延續上一篇繼續介紹EAS的計算，接著我們下一步是用測量值和規格書參數來取代未知參數"L"範圍，圖1所示為雪崩能量測試電路,從此電路中雪崩能量波形如圖2所示。
圖1. 雪崩能量測試電路 (註1.Avalanche Energy (EAS) caluculation of Power MOSFET)
圖2. 雪崩能量波形 (註1.Avalanche Energy (EAS) caluculation of Power MOSFET)
雪崩週期「tw」也可以依公式1,計算如下:
公式1.(註1.Avalanche Energy (EAS) caluculation of Power MOSFET)
由式公式1可得，未知參數"L:可表示為公式2如下:
公式2.(註1.Avalanche Energy (EAS) caluculation of Power MOSFET)
若要刪除參數"L"，我們可以將公式2代入上一篇所提到公式1中，我們可以得到公式3。如下:
公式3.(註1.Avalanche Energy (EAS) caluculation of Power MOSFET)
圖1. 雪崩能量測試電路 (註1.Avalanche Energy (EAS) caluculation of Power MOSFET)
圖2. 雪崩能量波形 (註1.Avalanche Energy (EAS) caluculation of Power MOSFET)
雪崩週期「tw」也可以依公式1,計算如下:
公式1.(註1.Avalanche Energy (EAS) caluculation of Power MOSFET)
由式公式1可得，未知參數"L:可表示為公式2如下:
公式2.(註1.Avalanche Energy (EAS) caluculation of Power MOSFET)
若要刪除參數"L"，我們可以將公式2代入上一篇所提到公式1中，我們可以得到公式3。如下:
公式3.(註1.Avalanche Energy (EAS) caluculation of Power MOSFET)
最後,我們再將上一篇所介紹的公式5中的「tw」去掉,代入公式2中，將會得到公式4如下：
公式4.(註1.Avalanche Energy (EAS) caluculation of Power MOSFET)
在較短週期(<1ms)條件下，IAS 和 EAS 之間存在反向提升。如果單脈衝雪崩電流"IAS"在最大額定值以下，雪崩能量較大「EAS」在通道溫度「Tch」小於最大額定值的情況下被允許，雪崩電流"IAS"條件下的雪崩能量"EAS"值顯示在每個產品的規格書，因此我們可以很容易地計算出公式4中的固定參數的兩個數值。
接下來我們將舉例計算範例，我們選用TPH3R704PL(VDSS = 40V),而選取每個參數都可以從規格書找到再代入公式 4，然後1ms 的熱阻「rth(ch-a)_1ms」，可以從規格書曲線得到。
BVDSS : 52V *低壓MOSFET（低於250V）的BVDSS 以1.3 x VDSS 估算。
溫度(最高):175℃
Ta:25℃(初始溫度)
rth(ch-a)_1ms : 0.85 ℃/W
根據上述參數和公式4，TPH3R704PL 的雪崩能量「EAS」可表示為下列的公式5：
公式5.(註1.Avalanche Energy (EAS) caluculation of Power MOSFET)
*規格書中的EAS 和 IAS 的值經過計算並向下捨去,因此,規格書參考將小於公式 5 的計算值。此計算僅適用於1ms及小於1ms的脈衝，下一步是計算 tw=1ms 時的雪崩電流，雪崩電流"IAS"的計算公式6。如下:
公式6.(註1.Avalanche Energy (EAS) caluculation of Power MOSFET)
圖3為TPH3R704PL 的單脈衝雪崩能量與單脈衝雪崩電流的關係,該裝置可以施加與該線相同或小於該線的能量.
所以透上這三篇的介紹我們知道了EAS與IAS的關係，讓我們可以根據發生MOSFET操作時的雪崩電流來計算"EAS"來確保MOSFET正常操作。