有助於實現工業設備高效化和小型化的1200V SiC MOSFET模塊產品線擴展

        東芝電子元件及存儲裝置株式會社(簡稱“東芝”)現已開始量產適用於工業設備的第三代碳化矽(SiC)1200V、漏極電流(DC)額定值為400A的SiC MOSFET模塊“MG400Q2YMS3”,擴大了其產品線。

        新產品MG400Q2YMS3的漏極-源極導通電壓(感應)低至0.9 V(典型值)[1],可實現低導通損耗。它還具有低開關損耗,開通損耗和關斷損耗低至13mJ(典型值)[2]。這些特性都有助於減小設備功耗以及散熱裝置的尺寸。
MG400Q2YMS3的雜散電感低至12nH(典型值),可執行高速開關操作。此外,其可在開關操作時抑制浪涌電壓。因此,其可用於高頻隔離DC-DC轉換器。

        東芝的2-153A1A封裝式SiC MOSFET模塊的產品線由現有的五款產品組成(包括新產品)分別為MG250YD2YMS3(2200V/250A)、MG400V2YMS3(1700V/400A)、MG250V2YMS3(1700V/250A)和MG600Q2YMS3(1200V/600A)。這為客戶提供了更廣泛的產品選擇。

        東芝將繼續努力以滿足工業設備對高效率和小型化的需求。


[1]測試條件:ID=400 A,VGS=+20 V,Tch=25 °C
[2]測試條件:VDD=600 V,ID=400 A,Tch=150 °C

應用

 工業設備
  • 軌道車輛的輔助電源
  • 可再生能源發電系統
  • 工業設備的電機控制設備
  • 高頻DC-DC轉換器等

 

特性 

  • 低漏極-源極導通電壓(感應):
    VDS(on)sense=0.9 V(典型值)(ID=400 A,VGS=+20 V,Tch=25 °C)
  • 低開通損耗::
    Eon=13 mJ(典型值)(VDD=600 V,ID=400 A,Tch=150 °C)
  • 低關斷損耗:
    Eoff=13 mJ(典型值)(VDD=600 V,ID=400 A,Tch=150 °C)
  • 低雜散電感:

LsPN=112 nH(典型值)

 

主要規格




內部電路

 


應用電路示例




Q1:東芝新推出的第三代碳化矽(SiC)產品有哪些?

A1:東芝新推出的第三代碳化矽(SiC)產品分別為新產品MG400Q2YMS3、東芝的2-153A1A封裝式SiC MOSFET模塊的產品線由現有的五款產品組成(包括新產品)分別為MG250YD2YMS3(2200V/250A)、MG400V2YMS3(1700V/400A)、MG250V2YMS3(1700V/250A)和MG600Q2YMS3(1200V/600A)。


Q
2:東芝新推出的第三代碳化矽(SiC)產品的優點有哪些?

A2新產品MG400Q2YMS3的漏極-源極導通電壓(感應)低至0.9 V(典型值)[1],可實現低導通損耗。它還具有低開關損耗,開通損耗和關斷損耗低至13mJ(典型值)[2]。這些特性都有助於減小設備功耗以及散熱裝置的尺寸。MG400Q2YMS3的雜散電感低至12nH(典型值),可執行高速開關操作。此外,其可在開關操作時抑制浪涌電壓。因此,其可用於高頻隔離DC-DC轉換器。

 

Q3:東芝新推出的第三代碳化矽(SiC)產品是什麼封裝的?

A3東芝新推出的第三代碳化矽(SiC)產品MG400Q2YMS3封裝是2-153A1A。


Q4
:東芝新推出的第三代碳化矽(SiC)產品有什麼特性

A4東芝新推出的第三代碳化矽(SiC)產品特性:

  • 低漏極-源極導通電壓(感應):
    VDS(on)sense=0.9 V(典型值)(ID=400 A,VGS=+20 V,Tch=25 °C)
  • 低開通損耗::
    Eon=13 mJ(典型值)(VDD=600 V,ID=400 A,Tch=150 °C)
  • 低關斷損耗:
    Eoff=13 mJ(典型值)(VDD=600 V,ID=400 A,Tch=150 °C)
  • 低雜散電感:
    LsPN=112 nH(典型值)

Q5:東芝新推出的第三代碳化矽(SiC)產品應用於哪些方面?

A5東芝新推出的第三代碳化矽(SiC)產品應用於

(1)軌道車輛的輔助電源、(2)可再生能源發電系統、(3)工業設備的電機控制設備、(4)高頻DC-DC轉換器等。

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參考來源

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