東芝電子元件及存儲裝置株式會社（簡稱“東芝”）現已開始量產適用於工業設備的第三代碳化矽（SiC）1200V、漏極電流（DC）額定值為400A的SiC MOSFET模塊“MG400Q2YMS3”，擴大了其產品線。
新產品MG400Q2YMS3的漏極-源極導通電壓（感應）低至0.9 V（典型值）[1]，可實現低導通損耗。它還具有低開關損耗，開通損耗和關斷損耗低至13mJ（典型值）[2]。這些特性都有助於減小設備功耗以及散熱裝置的尺寸。
MG400Q2YMS3的雜散電感低至12nH（典型值），可執行高速開關操作。此外，其可在開關操作時抑制浪涌電壓。因此，其可用於高頻隔離DC-DC轉換器。
東芝的2-153A1A封裝式SiC MOSFET模塊的產品線由現有的五款產品組成（包括新產品）分別為MG250YD2YMS3（2200V/250A）、MG400V2YMS3（1700V/400A）、MG250V2YMS3（1700V/250A）和MG600Q2YMS3（1200V/600A）。這為客戶提供了更廣泛的產品選擇。
東芝將繼續努力以滿足工業設備對高效率和小型化的需求。
注
[1]測試條件：ID＝400 A，VGS＝+20 V，Tch＝25 °C
[2]測試條件：VDD＝600 V，ID＝400 A，Tch＝150 °C
應用
- 軌道車輛的輔助電源
- 可再生能源發電系統
- 工業設備的電機控制設備
- 高頻DC-DC轉換器等
特性
- 低漏極-源極導通電壓（感應）：
VDS(on)sense＝0.9 V（典型值）（ID＝400 A，VGS＝+20 V，Tch＝25 °C） - 低開通損耗：:
Eon＝13 mJ（典型值）（VDD＝600 V，ID＝400 A，Tch＝150 °C） - 低關斷損耗：
Eoff＝13 mJ（典型值）（VDD＝600 V，ID＝400 A，Tch＝150 °C） - 低雜散電感：
LsPN＝112 nH（典型值）
主要規格
內部電路
應用電路示例
Q1：東芝新推出的第三代碳化矽（SiC）產品有哪些？
A1：東芝新推出的第三代碳化矽（SiC）產品分別為新產品MG400Q2YMS3、東芝的2-153A1A封裝式SiC MOSFET模塊的產品線由現有的五款產品組成（包括新產品）分別為MG250YD2YMS3（2200V/250A）、MG400V2YMS3（1700V/400A）、MG250V2YMS3（1700V/250A）和MG600Q2YMS3（1200V/600A）。
Q2：東芝新推出的第三代碳化矽（SiC）產品的優點有哪些？
A2：新產品MG400Q2YMS3的漏極-源極導通電壓（感應）低至0.9 V（典型值）[1]，可實現低導通損耗。它還具有低開關損耗，開通損耗和關斷損耗低至13mJ（典型值）[2]。這些特性都有助於減小設備功耗以及散熱裝置的尺寸。MG400Q2YMS3的雜散電感低至12nH（典型值），可執行高速開關操作。此外，其可在開關操作時抑制浪涌電壓。因此，其可用於高頻隔離DC-DC轉換器。
Q3：東芝新推出的第三代碳化矽（SiC）產品是什麼封裝的？
A3：東芝新推出的第三代碳化矽（SiC）產品MG400Q2YMS3封裝是2-153A1A。
Q4：東芝新推出的第三代碳化矽（SiC）產品有什麼特性？
A4：東芝新推出的第三代碳化矽（SiC）產品特性：
- 低漏極-源極導通電壓（感應）：
VDS(on)sense＝0.9 V（典型值）（ID＝400 A，VGS＝+20 V，Tch＝25 °C） - 低開通損耗：:
Eon＝13 mJ（典型值）（VDD＝600 V，ID＝400 A，Tch＝150 °C） - 低關斷損耗：
Eoff＝13 mJ（典型值）（VDD＝600 V，ID＝400 A，Tch＝150 °C） - 低雜散電感：
LsPN＝112 nH（典型值）
Q5：東芝新推出的第三代碳化矽（SiC）產品應用於哪些方面？
A5：東芝新推出的第三代碳化矽（SiC）產品應用於
（1）軌道車輛的輔助電源、（2）可再生能源發電系統、（3）工業設備的電機控制設備、（4）高頻DC-DC轉換器等。
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