作者：英飛凌工業半導體
CoolSiC™ MOSFET M1H增強型技術，“強”在哪裡？
CoolSiC™ MOSFET M1H增強型技術，可大大改善漏源導通電阻，擴大柵極-源極間的電壓區域，從而提高驅動靈活性，主要有以下四個優勢：
- M1H系列的Rds(on)有了極大提升，在同樣晶片面積下，增強型M1H的Rds(on)減小12%。
- 門極電壓的耐壓範圍進一步擴大，穩態耐壓值在-7~20V，瞬態耐壓值-10~23V。推薦開通電壓15-18V，關斷電壓-5~0V。
- M1H系列門極電壓閾值較高，大大減少了0伏關斷時的誤導通情況，提升系統的穩定性。
- 最大結溫可達175℃，進一步提升功率密度。
此外，英飛凌是業內第一家在在規格書裡面標註碳化矽短路能力的半導體器件廠商，可以選擇18V Vgs,降低Rds(on)；或者15V Vgs,獲得短路能力。
M1H系列的晶片尺寸更多樣化，包括55mΩ，33mΩ以及13mΩ，從而在面對不同Rds(on)的組合時候，提供了更多的可能性和靈活性。
M1H增強型技術晶片性能大幅提升，最小化動態開關過程對閾值和導通電阻的影響，保證更好的參數穩定性。
目前英飛凌已經推出了哪些CoolSiC™ MOSFET 1200V M1H Easy模塊？
英飛凌Easy模塊具有可擴展性和靈活性，Easy 1B和2B模塊已上市多年，應用十分廣泛。為了確保以同樣模塊高度設計更高功率的系統，英飛凌進一步開發了Easy 3B和4B模塊。這兩款封裝可以帶來更高的功率、更大的電流，採用1200V CoolSiC™ MOSFET晶片，以更好地滿足新興應用的要求。
目前，1200V CoolSiC™ MOSFET M1H Easy模塊擁有豐富的拓撲結構，包括半橋、全橋、三相橋、三電平以及boost。其中半橋的Easy3B模塊，最小Rds(on)為2mΩ。
總結Easy碳化矽模塊的優勢：
- 無銅底板模塊，為用戶提供了更具性價比的產品方案。部分Easy 1B以及2B模塊配置了氮化鋁基板，相較於傳統的氧化鋁的材料，熱阻降低40%，從而降低結溫，減小散熱成本。
- 封裝上的靈活出PIN，使驅動迴路和功率迴路都做到最小，尤其適用於碳化矽這樣的高速開關器件。而PressFit Pin的功能，可以簡化系統的安裝流程
1200V CoolSiC™ MOSFET M1H Easy模塊適用於哪些高速開關應用？
Easy模塊完美適用於標準化和定製化解決方案，用於光伏，電動汽車充電樁，ESS等多個工業應用。
► DF4-19MR20W3M1HF_B11是第一個採用EasyPACK™ 3B封裝的2000V CoolSiC™ MOSFET功率模塊。適用於1500V光伏系統。實際應用中，通過使用2000V的DF4-19MR20W3M1HF_B11，兩電平可以取代三電平的結構，在輕載下，Boost升壓效率提高了1%， 而在所有工作條件下，升壓效率平均提高了0.5%。它實現了更簡單的解決方案，減少了器件的數量，同時提高了功率密度，降低了1500 VDC應用的總系統成本。
► 1200V，17mΩ全橋碳化矽Easy模塊（F4-17MR12W1M1H），適用於10-12kW的充電樁應用或者雙向隔離轉換器。其效率可高達97.5%，並且憑藉高頻開關減少無源元件的體積，簡化安裝過程，從而提高提高系統可靠性
► 1200V，11mΩ T型三電平碳化矽Easy模塊（F3L11MR12W2M1HP_B19）可實現雙向的AC-DC，適用於雙向NPC2拓撲以及60kW充電樁的AC-DC部分。
► 1200V，4mΩ半橋碳化矽Easy模塊（FF4MR12W2M1H(P)_B11）可以通過並聯的方式應用於大功率的應用中，實現更好的均流表現，增加系統的穩定性。
碳化矽Easy模塊，根據客戶需求不同拓撲和不同晶片的組合，可以量身定製，滿足不同的應用需求，器件的Rds(on)介於55毫歐和2毫歐，有多種拓撲結構可選。正因為此，這一系列的產品型號還將不斷擴大，以滿足市場的需求。
Easy全球化戰略( Easy Modules for the World )
為滿足全球巨大的零碳化需求，以及市場對Easy模塊快速增長的需求，英飛凌啟動了新策略，全球化擴展生產基地（Easy Modules for the world）。通過構建各地不同的後道工廠產線，貼近區域市場和要求，實現本地化確保提升交付的安全性和穩定性。通過這個策略，英飛凌具備了為各種應用提供更多、更好的Easy碳化矽模塊的能力。
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