經常有研發工程師和器件工程師問到這樣的問題:兩個不同公司的功率MOSFET管,耐壓和導通電阻基本相同,標稱的電流也相同,該如何判斷哪一個功率MOSFET管的雪崩能量更高,雪崩能力更強?
MOSFET A 測試條件:起始結溫TJ=25°C,電感L=0.1mH,IAS=30A,EAS=45mJ。
MOSFET B 測試條件:起始結溫TJ=25°C,電感L=8mH,IAS=10A,EAS=400mJ。
由於二個功率MOSFET的雪崩電流和雪崩能量的測試條件不同,使用不同的電感值,因此無法確定哪一個雪崩性能更好。
下面再看幾個實際例子:
1、AOS:大多數功率MOSFET使用L=0.1mH。
AOS AON6590:L=0.3mH,數據表標明用去耦電路測量。
AOS AON6260:L=0.1mH,數據表標明用去耦電路測量。
2、不同公司電感都不相同,有些沒有標明。
TK100E10NE:L=42uH,Toshiba數據表標明使用非去耦電路測量,比同樣條件下去耦電路的值高。
BSC035N10NS5:沒有標明電感值,似乎Infineon的MOSFET都沒有標出電感值,也不知道用非去耦電路還是去耦電路測量。
STP15810:ST數據表沒有標電感值,後面說明了用去耦電路測試電路,可以通過使用的電源電壓和雪崩電壓來計算電感。
3、同一家公司不同產品測量電感也不同。
IRFB4310:L=0.35mH,IR數據表標明用去耦電路測量。
IRF3205:L=138uH,數據表標明用去耦電路測量。
IRF4110:L=0.033mH,數據表標明用去耦電路測量。
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IRF7437:L=0.069mH,L=0.095mH,測試了二個電感條件下的雪崩能量,數據表標明用去耦電路測量。
IRFB7430:L=0.15mH,L=1mH,測試了二個電感條件下的雪崩能量,數據表標明用去耦電路測量。
IRFB7540:L=86uH,L=1mH,測試了二個電感條件下的雪崩能量,數據表標明用去耦電路測量。
4、數據表和生產所用電感值不相同。
FDMS86101:L=0.3mH,L=0.1mH,測試了二個電感條件下的雪崩能量,數據表標明用去耦電路測量。
FDMS86101:L=0.3mH,L=0.1mH,測試了二個電感條件下的雪崩能量,數據表標明用去耦電路測量。
5、電感值大,UIS雪崩能量高。
IR和Fairchild的有些功率MOSFE的數據表中,使用不同的電感值測試雪崩能量,可以看到:電感值大,UIS雪崩能量也大。看下面另外二個產品,也可以說明這一點。
AOS MOSFET:60V/25mOhm,測試條件:VGS=15V,VDD=25V,TA=25C,DPAK封裝
TI CSD18502KCS:數據表標明用非去耦電路測量電路。
從前面結果可以看到,不同公司的功率MOSFET,同一公司不同型號功率MOSFET,都有可能使用不同的電感測量UIS雪崩能量,使用測量電路也不相同,數據表標示結果在很大程度上沒有可比性,也不能直接說明哪一個功率MOSFET的UIS雪崩能量更高,抗雪崩能力更強。同一個器件,使用的電感值越高,UIS雪崩能量更高。由於沒有統一的標準,有些公司在測量UIS雪崩能量過程中使用較大的電感,這樣使器件在數據表中可以標出比較大的雪崩能量,因此工程師要仔細的研究數據表,比較測試條件和測試電路,從而正確判斷功率MOSFET的UIS雪崩能量。
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