您是否需要很小的 MOSFET 處理 300 A?
Infineon TO-Leadless創新型封裝,佔用空間減少 30%,同時消除電遷移,適用於高電流應用。
電動工具、輕型電動車輛和推高機等大電流應用經常 MOSFET 需並聯使用,而增加電路板空間和成本,這種情況將不再存在。
英飛淩的 TO-Leadless MOSFET 封裝經過優化,可處理高達 300 A 的電流,在大幅減少佔用空間的同時提高功率密度。
與 D²PAK 相比,佔用空間減少 30 %,高度減少 50 %,整體總空間節省 60% ,從而實現更緊湊的設計。
電遷移問題在高功率和高溫應用中也是一個挑戰。 對此,TO-Leadless再度成為理想的分裝解決方案。
50% 的較大焊料接觸面積可有效避免電遷移,從而提高可靠性。
英飛凌現在為OptiMOS™提供五種TO-Leadless電壓等級,範圍從30V到150V。
外觀
關鍵特性
參考來源