Infineon OptiMOS™ 採用貼片式大電流TO-Leadless (TOLL)帶來設計的優勢

您是否需要很小的 MOSFET 處理 300 A？
Infineon TO-Leadless創新型封裝，佔用空間減少 30%，同時消除電遷移，適用於高電流應用。

電動工具、輕型電動車輛和推高機等大電流應用經常 MOSFET 需並聯使用，而增加電路板空間和成本，這種情況將不再存在。
英飛淩的 TO-Leadless MOSFET 封裝經過優化，可處理高達 300 A 的電流，在大幅減少佔用空間的同時提高功率密度。
與 D²PAK 相比，佔用空間減少 30 %，高度減少 50 %，整體總空間節省 60% ，從而實現更緊湊的設計。

電遷移問題在高功率和高溫應用中也是一個挑戰。 對此，TO-Leadless再度成為理想的分裝解決方案。
50% 的較大焊料接觸面積可有效避免電遷移，從而提高可靠性。
英飛凌現在為OptiMOS™提供五種TO-Leadless電壓等級，範圍從30V到150V。

外觀

                         

關鍵特性

• 最高電流能力達 300 A
• 改善了焊接接觸面積，顯著減少電遷移現象
• 極低的封裝寄生效應
• 無引腳封裝

主要優勢

• 所需並聯和散熱部件較少
• 高系統可靠性
• 低 EMI
• 支援極為緊湊的設計

主要應用

• 推高機
• 輕型電動車
• 負載點（POL）
• 電信
• 電熔絲

參考於Infineon 官網