DIODES的碳化矽 (SiC) 產品專為綠色能源、儲能係統和電動車的下一代應用而設計。 我們按照高標準製造這些產品，並確保其性能、效率和可靠性符合預期。 這些組件的設計透過降低傳導/開關損耗來提高系統效率並降低溫度，從而實現盡可能高的散熱性能.
DIODES的碳化矽 (SiC) 肖特基勢壘二極體 (SBD) 透過提供以下功能來促進高效的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 轉換：
• 高溫下優異的反向漏電穩定性
• 提高功率密度
• 電路設計中的開關損耗可以忽略不計.
DIODES的碳化矽 (SiC) MOSFET 額定電壓為 1200V，可廣泛設計用於需要更高電壓和效率的牽引逆變器、馬達驅動、光伏太陽能逆變器和 DC-DC 轉換器應用。 與傳統的矽基元件相比，這些產品即使在惡劣的環境下也能工作，具有可靠和強大的性能。
• 低導通電阻
• 適合電力應用的高BVDSS 等級
• 低輸入電容
SiC Diode list:
使用DII 的SiC Diode:DSC06C065 or DSC06A065在800W server Power 實際驗證可提高系統效率:
800W Server 實例:
效率比較表:
SiC MOS list:
簡單總結以上的資料DII 能提供給客戶完整的服務在不管在wafer, assembly, and test 上
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