1. 前言
碳化矽肖特基二極體在提高熱傳導效率和散熱效果方面表現優異，在高功率和高溫應用中，碳化矽肖特基二極體提供了更好的效率和熱管理，從而實現了更加緊湊和可靠的系統。以下列出它的三個關鍵優勢:
首先是高熱導率：SiC的熱導率是矽的三倍以上，能更有效地散熱，減少熱積聚。
二是高溫操作能力：SiC器件能在更高的溫度下工作（可達175°C），比矽器件更適合高溫環境。
三是更低的開關損耗：SiC器件的開關速度比矽器件快約十倍，降低了開關損耗，減少了熱量產生。
2.產品特色
► 零開關損耗
► 效率更高
► 更小的散熱片
► 易於並聯
3. 腳位結構圖
4. 設計利益
KEC半導體推出的650V碳化矽(SiC)肖特基二極體SMBRKxxA65BIS3及SMBRKxxA65BCS3系列適用於各種應用，包括工業電源、電信電源、太陽能逆變器、電機驅動器和電動汽車充電站。整體而言，這兩款系列產品為電力電子系統設計人員提供了四大設計利益:
► 可忽略不計的反向恢復電流
► 高浪湧能力
► 175°C 的最高工作結溫
► 高擊穿電壓，電壓高於 715V
5. 結語
KEC半導體的碳化矽肖特基二極體(SiC SBD)產品專注於更佳的熱管理，與傳統矽二極體相比，SMBRKxxA65BIS3及SMBRKxxA65BCS3碳化矽二極體的參數表現格外出色。恢復時間明顯更快，反向恢復電荷更低，熱性能更好，此外，它們擁有715V高擊穿電壓及175°C高結溫運行特性，迅速成為電動車、高功率工業/醫療電源和可再生能源系統應用的首選。
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