東芝第3代SiC肖特基勢壘二極體產品線增添1200 V新成員，其將助力工業電源設備實現高效率

        中國上海，2024年9月25日—東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化矽（SiC）肖特基勢壘二極體（SBD）產品線中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V產品，為其面向太陽能逆變器、電動汽車充電站和開關電源等工業設備降低功耗。東芝現已開始提供該系列的十款新產品，其中包括採用TO-247-2L封裝的五款產品和採用TO-247封裝的五款產品。

        最新TRSxxx120Hxx系列為1200 V產品，其採用東芝第3代650 V SiC SBD的改進型結勢壘肖特基（JBS）結構^[1]。在結勢壘中使用新型金屬，有助於這些新產品實現業界領先的^[2]1.27 V（典型值）低正向電壓、低總電容電荷和低反向電流。這可顯著降低較大電源應用中的設備功耗。

        東芝將繼續壯大其SiC電源器件的產品線，並將一如既往地專注於提高可降低工業電源設備功耗的效率。

註：
[1]改進型結勢壘肖特基（JBS）結構：該結構將混合式PiN肖特基（MPS）結構（可在大電流下降低正向電壓）整合在JBS結構（不僅可降低肖特基接口的電場，而且還可減少電流泄漏）中。
[2]在1200 V SiC SBD中。截至2024年9月的東芝調查。

主要規格

                                                                                                                                                                                                                          （除非另有說明， T_a ＝25 °C）

Q1：東芝新推出第3代碳化矽（SiC）肖特基勢壘二極體（SBD）產品有哪些？

A1：東芝新推出第3代碳化矽（SiC）肖特基勢壘二極體（SBD）產品有TRS10H120H、TRS15H120H、TRS20H120H、TRS30H120H、TRS40H120H、TRS10N120HB、TRS15N120HB、TRS20N120HB、TRS30N120HB和TRS40N120HB。

Q2：東芝新推出第3代碳化矽（SiC）肖特基勢壘二極體（SBD）產品是什麼封裝的？

A2： 東芝現已開始提供該系列的十款新產品，其中包括採用TO-247-2L封裝的五款產品和採用TO-247封裝的五款產品。

Q3：東芝新推出第3代碳化矽（SiC）肖特基勢壘二極體（SBD）產品有什麼特性？

A3：東芝新推出第3代碳化矽（SiC）肖特基勢壘二極體（SBD）產品特性有：

• 第3代1200 V SiC SBD
• 業界領先的[2]低正向電壓：VF＝1.27 V（典型值）（IF＝IF(DC)）
• 低總電容電荷：TRS20H120H的QC＝109 nC（典型值）（VR＝800 V，f＝1 MHz）
• 低反向電流：TRS20H120H的IR＝2.0 μA（典型值）（VR＝1200 V）。
  

Q4：東芝新推出第3代碳化矽（SiC）肖特基勢壘二極體（SBD）產品有什麼優勢？

A4：最新TRSxxx120Hxx系列為1200 V產品，其採用東芝第3代650 V SiC SBD的改進型結勢壘肖特基（JBS）結構，該結構將混合式PiN肖特基（MPS）結構（可在大電流下降低正向電壓）整合在JBS結構（不僅可降低肖特基接口的電場，而且還可減少電流泄漏）中，這可顯著降低較大電源應用中的設備功耗。

Q5：東芝新推出第3代碳化矽（SiC）肖特基勢壘二極體（SBD）產品應用於哪些方面？

A5：東芝新推出第3代碳化矽（SiC）肖特基勢壘二極體（SBD）產品應用於

（1）光伏逆變器、（2）電動汽車充電站、（3）工業設備UPS的開關電源等。