抗噪能力和設計靈活性都得到改進，適合工業和車用電源、轉換器和電機驅動裝置。
2024 年 11 月 29日——意法半導體推出了標準閾值電壓 (VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET電晶體，新系列產品兼備強化版溝槽柵技術的優勢和出色的抗噪能力，適用於非邏輯電平控制的應用場景。
工業級電晶體STL300N4F8 和 車規電晶體STL305N4F8AG 的額定漏極電流高於300A，最大導通電阻 RDS(on)為1mΩ，可在高功率應用中實現出色的能效。動態性能得到了改進，65nC(典型值)的總柵極電荷和低電容(Ciss, Crss)確保在高開關頻率下電能損耗降至最低。MOSFET體二極體的低正向電壓和快速反向恢復特性有助於提高系統的能效和可靠性。
有了新系列器件，設計人員可以利用意法半導體最新的 STripFET F8 技術為無線電動工具、工業生產工具等設備設計電源、電源轉換器、電機驅動裝置。MOSFET 的能效可延長電池續航時間，降低耗散功率，准許應用系統在採用簡單的熱管理設計情況下持續輸出高功率，從而節省電路板空間，降低物料成本。車規器件的目標應用是整車電機驅動裝置和DC/DC轉換器，包括車身電子設備、底盤和動力總成。具體應用場景包括車窗升降器、座椅定位器、天窗開啟器、風扇和鼓風機、電動助力轉向、主動懸架和減排控制系統。
意法半導體的 STripFET F8 技術確保器件具有很高的穩健性和更大的安全工作區 (SOA)，能夠處理大功率，耐受大功率造成的漏源電壓 (VDS)大幅下降。此外，175°C 的最高工作結溫讓MOSFET適用於極端惡劣的工作環境。
此外，該技術可以縮減裸片尺寸，降低導通電阻RDS(on)，提高價格競爭力，採用尺寸緊湊的封裝。這兩款器件都採用節省空間的 PowerFLAT 5x6 封裝，同時還提供汽車工業要求的可潤濕側翼封裝。
STL300N4F8現已上市。
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