本文接續前文介紹，我們將推薦適用於行動裝置電池保護電路的TOSHIBA優質MOSFET。 首先，MOSFET需要具備低導通電阻的CSP結構。如同先前所提到的，MOSFET被用於鋰離子二次電池的保護電路中，這些電池需要低導通電阻以最大限度地減少開關損耗。透過採用CSP（晶片級封裝）結構，SSM6N951L能夠消除鍵合線的電阻，這是傳統模塑樹脂封裝中的一個問題。此外，由於能夠使用比傳統模塑樹脂封裝中的晶片更大的半導體晶片，這種結構進一步有利於降低導通電阻。 CSP結構還具有出色的散熱性能，因為半導體晶片的熱源可以直接安裝在PCB上。
圖1. Comparison Image of Molded Resin Package and CSP Package (註一:Propose MOSFET Optimized for Protection Circuitry of Lithium-Ion Batteries Used in Mobile Devices )
接下來我門將介紹一款能有效節省安裝空間的單晶片共汲極產品。SSM6N951L雖然使用CSP結構以降低導通電阻，這種結構也有助於縮小封裝的尺寸和厚度。SSM6N951L內含兩個在汲極處相連的MOSFET，使得共汲極開關能以單一SSM6N951L配置。其尺寸非常小，僅2.14mm x 1.67mm x 0.11mmt（典型值），非常適合用於空間有限的鋰離子充電電池保護電路。圖2. 展示了使用SSM6N951L相比單一MOSFET時的安裝面積差異。
圖1. Comparison Image of Molded Resin Package and CSP Package (註一:Propose MOSFET Optimized for Protection Circuitry of Lithium-Ion Batteries Used in Mobile Devices )
接下來我門將介紹一款能有效節省安裝空間的單晶片共汲極產品。SSM6N951L雖然使用CSP結構以降低導通電阻，這種結構也有助於縮小封裝的尺寸和厚度。SSM6N951L內含兩個在汲極處相連的MOSFET，使得共汲極開關能以單一SSM6N951L配置。其尺寸非常小，僅2.14mm x 1.67mm x 0.11mmt（典型值），非常適合用於空間有限的鋰離子充電電池保護電路。圖2. 展示了使用SSM6N951L相比單一MOSFET時的安裝面積差異。
圖1. Image of Comparison of Mounting Areas (註一:Propose MOSFET Optimized for Protection Circuitry of Lithium-Ion Batteries Used in Mobile Devices )
接著我們將介紹漏極通用MOSFET的特性，表1. 展示了我們的漏極通用MOSFET的特性：SSM6N951L，以及正在量產的SSM10N954L和SSM14N956L。這些MOSFET類似於SSM6N951L，在上述中我們已經描述的SSM10N954L和SSM14N956L採用CSP結構，實現了緊湊的封裝尺寸和高密度安裝。此外，通過採用新開發的精細工藝技術，SSM6N951L達到了4.6mΩ的低導通電阻（典型值，VGS=3.8V），SSM10N954L和SSM14N956L則達到了1.1mΩ（典型值，VGS=3.8V）。它們的其他特性包括極小的閘極漏電流，為±1μA（最大值，VGS=±8V），有助於電池長時間運作。
表1.Characteristics of Toshiba Common-Drain MOSFET (註一:Propose MOSFET Optimized for Protection Circuitry of Lithium-Ion Batteries Used in Mobile Devices )
以上就是本篇的介紹,下一篇我們介紹這三顆MOSFET實際測試結果.
參考來源