AOS推出三款新封裝產品，AOBB040V120X2Q（1200V/40mOhm，D2PAK-7L 表面貼裝封裝）、AOGT020V120X2（1200V/20mOhm，GTPAK封裝）以及AOH010V120AM2（1200V/10mOhm，AlphaModule™模組封裝），為設計人員提供了多種系統優化選項，賦予選配靈活性， 最大化系統效率，同時簡化製造流程。
AOS擴展其第二代 650V 至 1200V aSiC MOSFET 的封裝組合選項，包括表面貼片及模組封裝，全新封裝產品群組適用於許多關鍵應用， 例如插電式混合動力/電動汽車（EV）車載充電機、太陽能逆變器和工業電源等，為設計人員提供了多種系統優化選項，賦予選配靈活性，以進一步最大化系統效率，同時簡化製造流程。
AOBB040V120X2Q是 AOS新型 1200V/40mOhm aSiC MOSFET，採用標準 D2PAK-7L 表面貼裝封裝，是第一款應用表面貼裝封裝的SiC產品。 這款產品符合 AEC-Q101 標準，旨在取代傳統的外掛程式封裝。 它非常適合車載充電器 （OBC） 等應用，這些應用可以通過通孔和背面PCB散熱器以及水冷等散熱方式，簡化裝配流程並最大限度地提高功率密度。 此外，低電感封裝與快速驅動器源極感應連接相結合，使這些 AOS aSiC MOSFET 有最高效的電源開關。
為了增加客戶產品設計的靈活性，AOS 推出了頂部散熱型 GTPAK™ 表面貼片封裝。 在頂部安裝散熱貼片的設計中，來自頂部的直接熱路徑可最大限度地降低熱阻。 它可實現更高的功率耗散，從而實現更有效的PCB布線。 AOGT020V120X2是採用 GTPAK 封裝，1200V/20mOhm aSiC MOSFET，是滿足高效太陽能逆變器和工業電源應用要求的理想解決方案。
AOH010V120AM2，是其全新 AlphaModule™ 高功率無基板模組系列的產品。 1200V/10mOhm 半橋 aSiC 模組具有壓接引腳和集成熱敏電阻。 它採用標準尺寸模組，可以將多個分立器件替換為單個緊湊封裝模組，同時通過支援電氣和冷卻路徑的明確分離來簡化機械和電氣設計。 單個模組適用於家用太陽能逆變器，或通過多個模組並聯擴展到滿足大功率快速直流充電站需求所需的功率水準。
技術要點:
1. AOGT020V120X2Q 1200 V αSiC Silicon Carbide Power MOSFET
VDS @ TJ, max 1200 V
IDM 200 A
RDS(ON), typ 20 mΩ
Qrr 290 nC
EOSS @ 800 V 88 μ
2. AOBB040V120X2Q 1200 V αSiC Silicon Carbide Power MOSFET
VDS @ TJ, max 1200 V
IDM 100 A
RDS(ON), typ 40 mΩ
Qrr 160 nC
EOSS @ 800 V 44 μJ
Q&A
Q1. 針對D2PAK-7L和GTPAK封裝，目前是以那種設計為主?
A1. 目前一般設計上，D2PAK-7L會以為主要設計，但因應散熱空間上的設計，會使用GTPAK加上散熱墊片，這樣搭配的趨勢會愈來愈多。
Q2. 針對D2PAK-7L和GTPAK封裝，那一種散熱比較好?
A2. 在相同規格下，會是GTPAK散熱效果較為顯現。
Q3. 在EV Charger 電源設計上要注意那些?
A3. 設計者需考量瓦數的要求及電壓轉換大電流帶動出來的Spike的高電位電壓，以及散熱的控溫處理，故在Layout上，需注意佈局上的散熱PAD的建立。
Q4. 在使用αSiC Silicon有什麼優勢?
A4. 有快速切換開關轉換電壓轉態，低阻抗的熱阻系數，使其更能轉換更多的電流。
Q5. 在αSiC Silicon此類的相關產品，有普及化嗎？
A5. 按照此製程的難度來看，相普及化可能還要一段時間。
參考來源