NAND Flash 操作中，如何判斷是壞軌，並將其標誌起來呢 ?
這裡舉 KIOXIA 4Gb SLC NAND Flash 做程序上的參考 (註1)：TC58NVG2S0HTAI0:
在規格書中，我們可以看見底下的資訊
*1: 禁止對檢測到的壞軌區進行擦除操作。
從這裡可以了解到，關於無效區塊的判定，壞軌區標記位於整個頁面的特定位置中。檢測時，需在每個區塊中選擇任意頁面，並對該頁面的某一列數據進行讀取。
如果該列的數據值為 00（十六進制），則可以確定該區塊為壞軌區。
此外，在運行過程中，主控晶片 (SOC) 還會記錄新的壞軌區，以避免使用這些無效區塊，保障數據完整性和存儲設備的穩定性。
開發人員應結合壞軌區管理機制，避免對壞軌區進行數據讀寫操作。
參考來源