Vishay推出新型 -30 V p溝道TrenchFET®第四代功率MOSFET，器件採用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封裝，10 V條件下導通電阻達到業內最低的3.5 mW，同時，導通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET在開關應用的重要優值係數（FOM）為172 mW*nC，達到同類產品最佳水平。節省空間的Vishay Siliconix SiSS05DN專門用來提高功率密度，占位面積比採用6mm x 5mm封裝的相似導通電阻器件減小65 %。
日前發布的MOSFET導通電阻比上一代解決方案低26 %，比市場上排名第二的產品低35 %，而FOM比緊隨其後的競爭器件低15 %。 這些業內最佳值降低了導通和開關損耗，從而節省能源並延長便攜式電子設備的電池使用壽命，同時最大限度降低整個電源路徑的壓降，以防誤觸發。器件緊湊的外形便於安裝在PCB面積有限的設計中。
行業標準面積尺寸的SiSS05DN可直接替代升級5 V至20 V輸入電源應用中的現有器件。 該MOSFET適用於適配器和負載開關、反向極性保護、電池供電設備電機驅動控制、電池充電器、消費類電子、計算機、電信設備等。
器件經過100 % RG和UIS測試，符合RoHS標準，無鹵素。