東芝推出80V N溝道功率MOSFET採用最新一代製程，可提高電源效率
擴大U-MOS X-H功率MOSFET系列產品陣容
東芝電子元件及儲存裝置株式會社（東芝）推出80V N溝道功率MOSFET為採用最新一代製程的「U-MOS X-H系列」。 產品適用於資料中心和通訊基地台中所用的工業設備的開關電源。
新產品為兩款封裝，一款為採用表面黏著SOP Advance封裝的TPH2R408QM以及TSON Advance封裝的TPN19008QM。即日起出貨。
由於採用了最新一代製程技術，比當前製程U-MOS VIII-H系列中的80V產品相比，新款80V U-MOS X-H產品的漏源導通電阻降低了大約40%。透過最佳化元件結構，漏源導通電阻與閘極電荷特性[1]之間的平衡也得到了改善[2]。此款IC可提供業界最低功耗[3]。
應用場合
- 開關電源（高效率AC-DC轉換器、DC-DC轉換器等）
- 馬達控制設備（馬達驅動器等）
特性
- 業界最低[3]功耗（透過改善導通電阻與閘極電荷特性[2]之間的平衡）
- 高額定通道溫度：Tch＝175℃
- 業界最低 [3]導通電阻：
VGS=10V (TPH2R40QM)時，RDS(ON)=2.43mΩ（最大值）
VGS=10V (TPN19008QM)時，RDS(ON)=19mΩ（最大值）
主要規格
注釋：
[1] 總閘極電荷（閘源+閘漏）、閘極開關電荷、輸出電荷
[2] 與TPH4R008NH（U-MOS VIII-H系列）相比，TPH2R408QM的漏源導通電阻x總閘極電荷約提高15%，漏源導通電阻 x 閘極開關電荷約提高10%，漏源導通電阻x輸出電荷約提高31%。
[3] 截至2020年3月30日，東芝調查。