加利福尼亞州桑尼維爾，2020年5月19日– Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS）是一名設計師，功率半導體和功率IC的開發商和全球供應商，今天宣布發布新的1200V碳化矽（SiC）αSiCMOSFET技術平台。 特別針對工業和汽車市場上，這種下一代技術與現有的矽解決方案相比將使客戶獲得更高水平的效率和功率密度
通過低柵極電阻（RG）設計和低柵極電阻（RG）設計，可最大程度地減少交流和直流功耗隨著溫度的增加，導通電阻（Rds,on）不斷提高，αSiC技術可以在各種溫度下實現最高效率應用開關頻率和溫度範圍。 更高的效率可能導致顯著降低系統成本和多種工業用途的總物料清單，包括太陽能逆變器，UPS系統和EV逆變器和充電系統。
此新平台的第一個產品版本是AOK065V120X2，它是1200V 65mΩ SiC MOSFET，可用於TO-247-3L包裝。 為方便使用，AOK065V120X2設計為採用-5V / + 15V柵極驅動器驅動，
與現有的高壓IGBT和SiC柵極驅動器最廣泛的兼容性。 單極驅動器也可以運行優化的系統設計。 αSiC平台的其他好處是強大的UIS功能，增強的短路性能性能和最高175度的最高工作溫度
“經過多年的開發工作，我們很高興將這種新型的下一代SiC MOSFET技術添加到Alpha和歐米茄現有的同類領先的Si MOSFET和IGBT產品組合。 除了我們之前發布的650V GaN平台外，
αSiC器件進一步擴大了我們對預計數十億美元的寬帶隙功率半導體的定位市場。 我們致力於為每個客戶的需求提供最佳技術解決方案。
αSiC MOSFET產品組合將於今年晚些時候擴展，以包括更廣泛的導通電阻和附加封裝具有完整AEC-Q101資格。
通過低柵極電阻（RG）設計和低柵極電阻（RG）設計，可最大程度地減少交流和直流功耗隨著溫度的增加，導通電阻（Rds,on）不斷提高，αSiC技術可以在各種溫度下實現最高效率應用開關頻率和溫度範圍。 更高的效率可能導致顯著降低系統成本和多種工業用途的總物料清單，包括太陽能逆變器，UPS系統和EV逆變器和充電系統。
此新平台的第一個產品版本是AOK065V120X2，它是1200V 65mΩ SiC MOSFET，可用於TO-247-3L包裝。 為方便使用，AOK065V120X2設計為採用-5V / + 15V柵極驅動器驅動，
與現有的高壓IGBT和SiC柵極驅動器最廣泛的兼容性。 單極驅動器也可以運行優化的系統設計。 αSiC平台的其他好處是強大的UIS功能，增強的短路性能性能和最高175度的最高工作溫度
“經過多年的開發工作，我們很高興將這種新型的下一代SiC MOSFET技術添加到Alpha和歐米茄現有的同類領先的Si MOSFET和IGBT產品組合。 除了我們之前發布的650V GaN平台外，
αSiC器件進一步擴大了我們對預計數十億美元的寬帶隙功率半導體的定位市場。 我們致力於為每個客戶的需求提供最佳技術解決方案。
αSiC MOSFET產品組合將於今年晚些時候擴展，以包括更廣泛的導通電阻和附加封裝具有完整AEC-Q101資格。