三星開始供應業界首款採用EUV技術生產的第三代10nm（1z） 16Gb LPDDR5 DRAM
繼投入DRAM量產後，平澤園區新設二號生產線將陸續生產新世代V-NAND與晶圓代工解決方案
全球先進記憶體技術領導品牌三星電子宣布其位於韓國平澤園區的第二條生產線，已開始量產業界首款採用極紫外光（EUV）技術製造的16Gb LPDDR5行動DRAM。新型16Gb LPDDR5以三星第三代10奈米（1z）製程打造，具備最卓越的行動記憶體性能與最大容量，讓更多消費者充份享受新世代智慧型手機帶來的5G和 AI功能。
三星電子DRAM產品與技術執行副總裁Jung-bae Lee表示：「基於1z製程的16Gb LPDDR5，克服DRAM在先進製程節點擴充的主要開發障礙，將產業技術推升至全新高度。三星以業界領頭羊之姿，推動整體記憶體市場的成長，我們將繼續擴大領先DRAM產品陣容，超越客戶的期望。」
擴大平澤園區產能
三星平澤園區二號生產線占地超過128,900平方公尺，相當於16座足球場，是迄今全球規模最大的半導體生產線。
此最新擴編的平澤生產線，將作為業界頂尖半導體技術的主力生產基地，生產最先進的DRAM產品，並提供新世代V-NAND與晶圓代工解決方案，鞏固三星在工業4.0時代的技術領先地位。
速度最快、容量最大的行動記憶體
基於現今最先進的（1z）製程節點，三星新型16Gb LPDDR5是首款使用EUV技術量產的記憶體，以史上最快的速度與最霸氣的容量規格，領先市面上的其它行動DRAM產品。
新型LPDDR5速度可達到每秒6,400 Mb，較現今旗艦級行動裝置的主流規格12Gb LPDDR5（每秒5,500 Mb）提升約16%。建構成16GB封裝時，LPDDR5能在短短一秒的時間內，傳輸大約10部5GB大小的高畫質影片、或51.2GB的數據。
透過全球首創的商用1z製程，LPDDR5封裝體積較前一代縮減30%，進而讓5G和多鏡頭智慧型手機、摺疊裝置，能將更多功能整合至精巧的機身設計中。16Gb LPDDR5只需8個晶片，即可建構16GB封裝，而基於1y製程技術的前一代產品，則需要12個晶片（8個12Gb晶片搭配4個8Gb晶片），才能提供相同的容量。
藉由向全球智慧型手機製造商供應首款基於1z製程的16GB LPDDR5封裝，三星計劃在2021年進一步鞏固其在旗艦行動裝置市場的地位。此外，三星亦將擴大LPDDR5產品的應用範疇，延伸至汽車領域，提供更寬廣的作業溫度範圍，以滿足極端環境的嚴苛安全和可靠度標準。