東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）開發了用於碳化矽（SiC）功率模組的封裝技術，能夠使產品的可靠性提升一倍[1]，同時減少20%的封裝尺寸[2]。
與矽相比，碳化矽可以實現更高的電壓和更低的損耗，且被廣泛視為功率器件的新一代材料。雖然目前主要應用於火車的逆變器上，但是很快將被廣泛用於光伏發電系統和汽車設備等高壓應用。
可靠性是碳化矽器件使用受限的主要問題。在高壓功率模組中的應用不僅是半導體晶片，封裝本身也必須具備高度的可靠性。東芝通過一種全新的銀（Ag）燒結技術進行晶片焊接，有效的提高封裝可靠性的目標。
在當前的碳化矽封裝中，功率密度提高以及開關頻率都會導致焊接性能劣化，很難抑制晶片中隨著時間的推移而增加的導通電阻。銀燒結技術可以顯著降低這種退化。且銀燒結層的熱電阻僅為焊接層的一半，從而使模組中的晶片可以更加緊密地靠近，縮小了尺寸。
東芝將此新技術命名為iXPLV，並從本月底起提供應用於3.3kV級碳化矽功率模組的批量生產。該技術的詳細資訊已於5月5日線上上召開的國際功率半導體會議——PCIM Europe上進行了展示。
