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					<h2>序言</h2>
自南芯2019年推出高壓電荷泵IC——SC8551後，一躍成為電荷泵領域的佼佼者，乘勝追擊南芯推出集成多種快充協議的SC854x，以及各種不同拓撲架構的電荷泵產品，奠定了南芯在國產電荷泵IC領域絕對的領先地位。
近期，南芯宣布推出單晶片120W超高壓電荷泵充電產品——SC8571，這款產品的問世，無疑滿足了電荷泵領域對於超大功率晶片的需求，同時這款晶片將會再一次實現國產同類產品率先量產。
眾所周知，電荷泵是當前手機大功率充電的唯一解決方案。隨著充電功率進一步加大，充入電芯的電流也越來越大，於是提高電芯的電壓也成為一種新的選擇。當業界把雙串電池的方案應用於手機之後，USB口的輸入電壓上限就可以進一步提高到20v，這種方案從架構上來講，和SC8551的2:1基本一致，但輸入輸出的電壓同時被提高，所以一般稱為“超高壓4:2電荷泵”。
真正意義的第二代電荷泵，為非傳統2:1的異形架構方案，比如用在大功率無線充電前端的30v輸入6:2電荷泵架構方案，以及20v輸入給單電芯充電的4:1電荷泵架構方案，南芯也有相應的產品布局，敬請期待。
目前手機界能做到的最大功率和最高效率的充電方案，為“超高壓4:2電荷泵”搭配雙串電芯方案。南芯的SC8571可實現目前業界同類產品的最大功率，單晶片可以支持到120w充電規格。通常情況下，為保證手機的散熱性能和用戶體驗，120w到160w一般會採用2顆SC8571並聯方案；如若採用3顆SC8571並聯，並配合相應快充鏈路的整體加強設計，則可以實現200w的充電功率。
下圖是120w雙串電芯的典型充電架構圖。  <img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/vendornews/2021/21275/tinymce/1.png" alt="">
圖1. 電芯的120W-200w雙電芯充電架構圖
<h2> 1. 功能夠強大，快充才不怕</h2>
SC8571是南芯針對手機快充市場最新推出的電荷泵快充IC，採用80pin的CSP封裝。其主要特點如下：
l業界領先的峰值充電效率
憑藉優異的設計能力，SC8571實現了業界最高的98.65%峰值效率，在單顆輸出8A的大功率負載條件下依然保持超過98%的效率指標。
l雙模式
SC8571支持4:2電荷泵模式和2:2直充模式，完美兼容20V適配器和10V適配器。
l路徑管理
為兼顧大功率無線充電的需求，SC8571支持有線無線雙路徑管理，集成兩路驅動，可任意選擇有線或無線快充路徑。
此外，精確的驅動電壓支持GaN器件作為路徑選擇的負載開關，顯著縮減了手機主板面積。
l21重安全防護
SC8571內部集成多達21重安全防護措施，為用戶的充電安全保駕護航。
l兼容1.2V/1.8V GPIO
為適配未來手機處理器的GPIO朝著更低電壓發展的方向，SC8571率先兼容1.2V/1.8V兩種GPIO電壓等級，使得客戶可以從容應對處理器的更新疊代。
l快速的短路保護
獨特的輸入輸出電壓壓差檢測保護，實現百ns級別的快速響應時間，輕鬆應對輸入電容短路/飛電容短路/輸出電容短路等各種異常場景。
 <img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/vendornews/2021/21275/tinymce/2.png" alt="">
圖2. SC8571主要功能及特點 
<h2>2. 夠涼才夠酷，效率來服務</h2>
電荷泵快充主要用在大功率充電場景，發熱會嚴重影響用戶體驗，所以效率指標對於電荷泵產品至關重要。憑藉優異的電路設計能力以及在電荷泵產品上的深厚積累，SC8571實現了業界領先的4:2電荷泵充電效率。
從下圖可以看出，在3A負載下，SC8571效率高達98.65%，在8A負載條件下，SC8571依然可以達到98.12%的充電效率。
SC8571最大可以實現12A的輸出能力，實現單晶片最大120w充電功率。
<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/vendornews/2021/21275/tinymce/3.png" alt="">
圖3. SC8571工作在電荷泵模式下的效率曲線 
除了4:2電荷泵工作模式，SC8571還支持2:2直充模式，兼容10V適配器。下圖是SC8571工作在2：2模式下的效率，在6A以下效率輕鬆超過99%。
<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/vendornews/2021/21275/tinymce/4.png" alt="">
圖4. SC8571工作在bypass模式下的導通電阻曲線 
下圖為SC8571工作在不同模式下的溫升示意圖。
l圖5(a)為4:2電荷泵模式下8A充電電流時的溫升示意圖。從圖中可以看出，晶片表面的溫升大約為50.8-25=25.8℃(環境溫度約為25℃)。
l圖5(b)為2:2直充模式下7A充電電流時的溫升示意圖，晶片表面的溫升大約為46.3-25=21.3℃。
<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/vendornews/2021/21275/tinymce/5.png" alt=""> (a)4:2電荷泵模式,VBAT=8.4V,IBAT=8A  
 <img style="text-align: center; display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/vendornews/2021/21275/tinymce/6.png" alt="">(b)2:2直充模式,VBAT=8.4V,IBAT=7A
圖5. SC8571工作在不同模式下的溫升示意圖 
<h2>3. 快充是目的，安全是前提</h2>
SC8571內部集成了21重不同的保護機制，以確保充電過程安全可靠。其保護機制可以分為以下三類：
l11重系統級保護
l5重電荷泵相關保護
l5重系統級報警
其中，系統級保護和電荷泵相關保護觸發後，SC8571會停止充電，同時出INT中斷。系統級報警觸發後，同樣會出INT中斷，但是充電不會停止，以提醒AP提早採取應對措施。 
<img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/vendornews/2021/21275/tinymce/7.png" alt="">
 圖6. SC8571內部集成的21重保護
 結語：
SC8571功能強、效率高、安全性好，正按照南芯既定的目標穩步推進，相信不久的將來，即可再次實現國產“超高壓4:2電荷泵”的率先量產。
上海南芯半導體一定會秉承“性能過硬、質量可靠”的優良傳統，繼續為各大客戶提供高性能、高品質與高經濟效益的產品，助力國產手機騰飛、推動國產晶片突圍、振興中國製造品牌，實力打造“中國芯“！
南芯，為效率而生！				</div>
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重磅新品 | 南芯·推出超高壓4:2電荷泵快充IC—SC8571

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					 納芯微（NOVOSNS）推出了全新通用CAN接口晶片---NCA1042，隔離CAN接口晶片---NSI1042，可廣泛適用於工業、電力、通信和樓宇自動化等各領域中的控制總線設計，例如工控、電梯、安防、機車、電力電子等應用場合。
高集成度，高穩定性 NCA1042/NSI1042晶片可在-40°至+125°的寬溫工作範圍內穩定運行，數據傳輸速率高達5Mbps，支持CAN FD，兼容絕大部分MCU I/O電平，提供業內通用的封裝形式，顯著降低了用戶成本並帶來更優的性能體驗。
 <img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/vendornews/2021/21274/tinymce/2.png" alt="">
NCA1042是一款高速CAN收發器，可提供控制器局域網（CAN）協議控制器和物理兩線CAN總線之間的接口，可支持至少110個CAN節點。NCA1042實現ISO 11898- 2：2016和SAE J2284-1至SAE J2284-5中定義的CAN物理層。在CAN FD快速相位網絡中可實現可靠的通信，數據速率高達5Mbps，並提供熱保護和傳輸數據顯性超時功能。
NCA1042主要性能： 
► 完全兼容ISO11898-2標準
► I / O電壓範圍支持3.3V和5V MCU
► 電源電壓
-VIO：3V至5.5V
-VDD：4.5V至5.5V
► -70V至+ 70V的總線故障保護
► 傳輸數據（TXD）主導超時功能
► 總線主導超時功能
► 具有喚醒功能的超低電流待機模式
► 過電流和過熱保護
► 數據速率：最高5Mbps
► 低環路延遲：&lt;250ns
► 工作溫度：-40℃~125℃
► 封裝：SOP8
<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/vendornews/2021/21274/tinymce/3.png" alt="">
NSI1042是隔離式的CAN收發器，與ISO118982標準完全兼容。NSI1042集成了兩通道數字隔離器和一個高性能CAN收發器，數字隔離器是基於納芯微電容隔離技術的氧化矽隔離，高度集成的解決方案可以幫助簡化系統設計並提高可靠性。NSI1042產品已通過UL1577安全認證, 支持5kVrms的絕緣耐壓, 同時具有很高的電磁抗擾度和低輻射。NSI1042支持CAN FD，數據速率高達5Mbps，並且可以支持至少110個CAN節點，並提供熱保護和傳輸數據主導超時功能。
NSI1042主要性能 
►  完全兼容ISO11898-2標準
►  隔離耐壓5000Vrms
►  電源電壓
-VDD1:2.5V至5.5V
-VDD2:4.5V至5.5V
►  過電流和過熱保護
►  寬總線保護電壓+40V
►  通訊速率達5Mbps
►  CMTI&gt;150kV/us
►  低環路延遲:&lt;220ns
►  增強的系統級ESD,EFT,抗浪涌能力
►  工作溫度-40℃~125℃
►  封裝形式
-SOW8 寬體
-SOW16 寬體
通用CAN接口晶片---NCA1042，隔離CAN接口晶片---NSI1042均P2P兼容市場主流歐美晶片，用戶無需修改設計就可以直接更換，靈活滿足用戶選型需求，擁有更高的性價比，提供更可靠的供應保障。				</div>
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納芯微推出通用CAN接口晶片NCA1042，隔離CAN接口晶片NSI1042

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					<div class="Flex-sc-1aicpuu-0 uapck article-text" data-test-id="blog-post-body">
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亮點：
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<li>全新一代驍龍®8移動平台引領行業邁入頂級移動技術新時代</li>
<li>最先進的5G移動平台和全球首個支持10Gbps下載速度的5G調製解調器及射頻解決方案</li>
<li>
Snapdragon Sight™驍龍影像技術支持首個商用的面向移動設備的18-bit ISP
</li>
<li>第7代高通AI引擎支持的業內領先終端側AI
</li>
<li>第4代Snapdragon Elite Gaming™特性提供端游級遊戲體驗，為玩家帶來超越期待的體驗</li>
<li>全球首個符合Android Ready Secure Element（SE）聯盟規範的平台</li>
</ul>
在2021驍龍技術峰會期間，高通技術公司推出全新頂級5G移動平台——全新一代驍龍®8移動平台。憑藉先進的5G、AI、遊戲、影像和Wi-Fi與藍牙技術，全新一代驍龍8移動平台將變革下一代旗艦終端，引領行業邁入頂級移動技術新時代。全球眾多OEM廠商和品牌，包括中興通訊、小米、vivo、Redmi、realme、OPPO、一加、努比亞、iQOO、榮耀、黑鯊、索尼、夏普以及Motorola，將採用全新一代驍龍8移動平台，商用終端預計將於2021年底面市。
高通技術公司高級副總裁兼移動、計算及基礎設施業務總經理阿力克斯·卡圖贊表示：“作為全球最先進的移動平台，驍龍是頂級Android體驗的代名詞，全新一代驍龍8移動平台將為下一代旗艦移動終端樹立新標杆，並為智慧型手機帶來前所未有的連接、影像、AI、遊戲、音頻和安全體驗。” 
全新一代驍龍8移動平台的關鍵特性包括：
<ul>
<li>
連接：全新一代驍龍8移動平台是最先進的5G移動平台，它集成的第4代驍龍X65 5G調製解調器及射頻系統，是全球首個支持10Gbps下載速度的5G調製解調器及射頻解決方案。全新一代驍龍8移動平台採用高通FastConnect™ 6900移動連接系統，通過Wi-Fi 6/6E支持目前最快的、高達3.6Gbps的Wi-Fi速度。從而確保即便在一個網絡環境中有多台聯網終端時，依然能夠流暢運行遊戲和應用。</li>
<li>
影像：這款全新頂級移動平台將支持智慧型手機邁向專業移動影像時代。Snapdragon Sight™驍龍影像技術包含首個商用的面向移動設備的18-bit ISP，能夠以每秒32億像素的驚人速度，捕捉達前代平台4000多倍動態範圍的影像數據，支持極致的動態範圍、色彩和清晰度。它也是首款支持8K HDR視頻拍攝的移動平台，並且能夠以超過10億色的頂級HDR10+格式進行拍攝。全新虛化引擎能夠為視頻添加精美的柔和背景，呈現出更加令人驚嘆的效果，這就如同視頻拍攝時打開了人像模式。全新一代驍龍8移動平台還包括第4個獨立的ISP，即一個全新的低功耗智慧感知ISP，能夠支持攝像頭以極低的功耗運行，使用戶能夠感受到始終開啟的面部解鎖功能的便捷性，以及沒有面部露出時始終保持鎖屏的高度隱私性。</li>
<li>
AI：第7代高通AI引擎包括了超高性能、超高能效的高通Hexagon™處理器，與前代相比，張量加速器速度和共享內存均提升至前代平台的2倍。得益於智能集成的徠卡Leitz風格（Leica Leitz Look）濾鏡，用戶可拍攝專業品質圖像，再現經典虛化效果。Hugging Face推出了最新的基於AI的自然語言處理，可作為用戶的個人助手優先處理並分析通知。我們還與Sonde Health展開合作，利用終端側AI提高模型運行速度，進而分析用戶的聲音模式，判斷用戶是否存在健康隱患，比如患有哮喘或抑鬱症等。此外，第3代高通傳感器中樞支持全新的始終開啟的AI系統，能夠以極低功耗利用AI處理更多數據信息。</li>
<li>
遊戲：憑藉超過50項Snapdragon Elite Gaming特性，全新一代驍龍8移動平台提供超流暢的操控響應體驗、色彩豐富且具有最佳視覺質量的HDR場景，以及移動端首創的端游級特性。全新高通Adreno™ GPU將開啟新一代移動GPU，與前代相比，其圖形渲染速度提升30%、功耗降低25%。新平台提供Adreno圖像運動引擎（Adreno Frame Motion Engine）特性，在近乎同等功耗下能夠實現兩倍畫面幀數。可變解析度渲染進階版（Variable Rate Shading Pro）作為另一項移動端首創特性，為遊戲開發者提供更精細的渲染粒度控制，助力其進一步提升遊戲性能。高通技術公司內部驍龍遊戲工作室專門針對移動平台優化的端游級立體渲染可以讓霧煙和粒子效果達到極致的逼真度。</li>
<li>
音頻：通過集成的藍牙5.2和Snapdragon Sound™驍龍暢聽技術，再結合高通aptX™ Lossless無損音頻技術實現的CD品質無損無線音頻，用戶能夠享受全新的超清晰語音和音樂。全新一代驍龍8移動平台也是首個支持全新LE Audio特性的驍龍移動平台，包括廣播音頻、立體聲音頻錄製和遊戲語音同步回傳。</li>
<li>
安全：全新一代驍龍8移動平台支持保險庫級別的安全特性，幫助保護用戶數據。它是首個採用專用信任管理引擎（Trust Management Engine）的驍龍平台，能夠實現更高安全性，並為應用和服務提供額外信任根（Root of Trust）。全新一代驍龍8移動平台也是全球首個符合Android Ready SE標準（面向數字車鑰匙、駕照等的新標準）的移動平台。此外，高通安全處理單元（SPU）支持集成的SIM卡（iSIM），用戶無需SIM卡即可輕鬆且安全地連接蜂窩網絡。</li>
</ul>
 廠商引言
中興終端事業部產品中心主任羅煒：“高通技術公司和中興一直有著非常緊密的合作關係。今年，我們推出的旗艦產品中興Axon 30 Ultra三主攝四陣列計算影像手機，以及紅魔6系列遊戲手機，都得到了驍龍移動平台的強大支持。如今，全球5G市場蓬勃發展，技術更新日新月異，高通技術公司的全新一代驍龍移動平台對R16的支持將與中興終端從系統到終端的5G通訊解決方案能力相得益彰，遊戲、視頻、AI的進一步增強，也將使中興終端有能力為消費者帶來更豐富的場景和更完美的體驗。”
小米集團創始人、董事長兼CEO雷軍表示：“全新一代驍龍8旗艦移動平台，採用最先進的4nm工藝製程，第7代高通AI引擎賦能帶來前所未有的創新影像體驗。經過小米和高通技術公司工程師並肩數月聯調優化，小米12系列將全球首發全新一代驍龍8移動平台，為全球用戶帶來最佳移動體驗。”
vivo高級副總裁、首席技術官施玉堅表示：“隨著全新一代驍龍8移動平台的到來，vivo品牌和iQOO品牌也將很快推出多款搭載該平台的手機產品，在影像性能、5G便捷連接、電競性能以及智慧應用等方面為用戶帶來進階體驗。vivo始終以用戶需求為導向，堅持科技創新和設計驅動，將繼續攜手全球領先的無線科技創新者高通技術公司，進一步推動全球5G終端的創新與普及，為用戶帶來更加極致的產品和便捷的數字化生活。”
realme創始人、CEO李炳忠表示：“realme和高通技術公司在追求極致的智慧型手機體驗方面有著共同的目標，雙方一直在密切合作，向全球用戶提供尖端技術。全新一代驍龍8移動平台是高通技術公司有史以來最先進的移動平台，在5G、遊戲、相機和人工智慧體驗方面有巨大提升。realme將會推出史上最高端的旗艦手機GT 2 Pro，將首批搭載全新一代驍龍8移動平台。”
“一直以來，OPPO和高通技術公司保持著緊密、互信的合作關係，我們曾多次率先推出採用旗艦級驍龍5G移動平台的智慧型手機。”OPPO海外銷售副總裁張小可表示：“今天，我們很高興見證了全新一代驍龍8移動平台的發布，它將為明年的旗艦終端帶來強勁動力和多樣的超凡表現，再次定義旗艦手機的實力。OPPO預計將在2022年第一季度推出基於全新一代驍龍8移動平台的旗艦手機，為用戶帶來更進一步的非凡體驗。”
努比亞聯合創始人、高級副總裁余航表示：“一直以來努比亞手機均由驍龍移動平台保駕護航，這與驍龍在5G、AI、遊戲和拍照等諸多方面的領先優勢分不開，我們最新一代遊戲手機也將第一時間搭載全新一代驍龍8移動平台，而且很快就會與大家見面。相信憑藉全新一代驍龍8移動平台的澎湃動力會讓努比亞手機的性能更加強悍。非常感謝驍龍一路陪伴，未來我們還將進一步開拓生態內容，攜手高通技術公司將更多高端技術和卓越產品帶給消費者！”
“榮耀與高通技術公司共同為消費者帶來了眾多創新體驗，隨著全新一代驍龍8移動平台的發布，這一體驗將得以進一步提升”，榮耀終端有限公司產品線總裁方飛說，“我們雙方團隊緊密合作，將榮耀深厚的技術底蘊與驍龍移動平台強勁性能相結合，為消費者帶來了榮耀Magic3系列和榮耀50系列。榮耀即將發布的下一代旗艦手機也將會首批搭載全新一代驍龍8移動平台。秉持極致產品主義精神，榮耀將進一步釋放驍龍8移動平台行業領先的通信、性能、影像和AI能力，帶來更極致的科技創新體驗。”
黑鯊CEO羅語周表示：“作為中國遊戲手機市場的開拓者，黑鯊科技一直堅持帶給用戶擁有頂級性能表現的遊戲手機產品。黑鯊科技自2018年發布首款黑鯊遊戲手機產品以來，全系產品始終堅持採用驍龍8系列旗艦平台，並與高通技術公司共同攜手探索移動設備端遊戲場景下的創新功能，為移動遊戲玩家帶來更好的遊戲體驗，相信在未來的全新一代驍龍8移動平台的支持下，遊戲手機將會有著更為出色的遊戲體驗，同時也會帶給廣大玩家更多驚喜。”
索尼公司執行副總裁兼移動通信公司總裁Mitsuya Kishida表示：“我們一直努力通過Xperia智慧型手機為熱情、忠實的用戶帶來超越想像的體驗。與高通技術公司長期的緊密合作，助力我們將最新的頂級技術引入出色的終端產品中，比如Xperia I III、Xperia 5 III和最新的Xperia PRO-I。隨著5G智慧型手機需求的增長，用戶希望獲得增強的影像、音頻和遊戲體驗。驍龍移動平台始終在賦能這些用戶所期待的體驗方面發揮重要作用。我們在充分利用索尼自身技術專長的同時，也期待藉助全新一代驍龍8移動平台，為全球用戶帶來更加出色的移動體驗。”
夏普個人通信事業部總經理Shigeru Kobayash表示：“我們十分興奮能夠憑藉最新的頂級5G移動平台——全新一代驍龍8移動平台，將我們與高通技術公司的合作提升至全新水平。夏普一直為客戶帶來創新產品，包括近期發布的AQUOS R6，它也是全球首款採用高通3D Sonic Max超聲波指紋傳感器的智慧型手機。得益於和高通技術公司的密切合作，我們期待通過推出搭載全新一代驍龍8移動平台的獨特產品，彰顯夏普‘用8K+5G和AIoT改變世界’的企業願景。”
Motorola消費者體驗主管Ruben Castano表示：“通過向市場推出首批搭載驍龍8的智慧型手機以及一款前所未有的5G可穿戴設備，Motorola正在引領基於全新一代驍龍8移動平台的全新頂級體驗。上述產品將大幅提升消費者的音頻、視覺和AR/VR體驗。”
欲了解有關全新一代驍龍8移動平台的更多信息，請參考<a href="https://www.qualcomm.com/documents/snapdragon-8-gen-1-mobile-platform-product-brief">產品手冊</a>。欲獲取主題演講直播回放，請訪問<a href="http://www.qualcomm.com/snapdragontechsummit">Snapdragon Tech Summit Event Hub</a>。
電池續航和容量因終端、設置、使用情況和其他因素而異。
 關於高通公司
高通公司是全球領先的無線科技創新者，也是5G研發、商用與實現規模化的推動力量。把手機連接到網際網路，我們的發明開啟了移動互聯時代。今天，我們的基礎科技賦能了整個移動生態系統，每一台3G、4G和5G智慧型手機中都有我們的發明。我們將移動技術的優勢帶到汽車、物聯網、計算等全新行業，開創人與萬物能夠順暢溝通和互動的全新世界。高通公司包括技術許可業務（QTL）和我們絕大部分的專利組合。
高通技術公司（QTI）是高通公司的全資子公司，與其子公司一起運營我們所有的工程、研發活動以及所有產品和服務業務，其中包括半導體業務QCT。
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			</div><ul class="contact-list-area" style="margin-top: 30px; padding:0;">
<li><a href="mailto:qualcomm.tw@aitgroup.com.tw">我要聯絡 : (台灣)qualcomm.tw@aitgroup.com.tw</a></li>
											
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高通推出全新一代驍龍8移動平台，通過集成的藍牙5.2和Snapdragon Sound™驍龍暢聽技術，用戶能夠享受全新的超清晰語音和音樂

一、概述&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; 筆者前段時間在方案知識庫專區分享了《<a href="https://www.wpgdadatong.com/solution/detail/74963" target="_blank" rel="noopener">基於 SemiDrive E3210 &amp; NXP NJJ29C2 &amp; NCK2911 &amp; NCF29A1 PEPS 無鑰匙進入方案</a>》，該方案包含有基於 SemiDrive E3210 的基站主控板，基於 NXP NJJ29C2 的低頻驅動板，基於 NXP NCK2911 的高頻接收板，以及基於 NXP NCF29A1 的鑰匙板。&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;今天這篇文章基於此方案跟大家分享 Demo 中 PKE/PKG 功能的實現流程以及功能展示。 二、應用場景<ol><li>PKE/PKG 通訊流程</li></ol>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; PKE (Passive Keyless Entry)，即近距離車門解鎖功能。而 PKG (Passive Keyless Go)，即為車內一鍵啟動功能。PKE/PKG 通訊過程包括基站低頻發送低頻信號給鑰匙，以及鑰匙被喚醒後回傳高頻信號給基站高頻模塊接收，如下圖所示。&nbsp;<img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/blog/2024/16633/tinymce/1_1.png" alt="圖 1 PKE/PKG 通訊" /> 圖 1 PKE/PKG 通訊<ol start="2"><li>應用場景介紹</li></ol>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; ① PKE 功能 &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; 該功能 Demo 中通過測試點高電平觸發，模擬實際車輛拉動汽車門把手觸發（無需操控鑰匙按鍵），基站主控命令低頻板發送 RSSI 測量命令，之後鑰匙開始 RSSI 檢測，然後將檢測結果通過 UHF 回傳，由基站主控判斷鑰匙是在車內還外。如果在車外，則會開始進行 HT-3 認證， 認證通過則車門解鎖。&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; ② PKG 功能 &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; 該功能與 PKE 相似，該功能 Demo 中通過按鍵觸發，模擬實際車輛使用中當司機按下 &ldquo;一鍵啟動&rdquo; 按鍵，會觸發 RSSI 檢測，但是只有當鑰匙在車內，才會開始 HT-3 認證， 認證通過方可啟動引擎； 否則引擎依舊處於鎖止狀態。三、實現流程<ol><li>PKE 功能</li></ol>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; 執行 PKE 功能時，鑰匙完成 RSSI 檢測回傳後，如果基站判斷在車外，認證通過則車門解鎖。PKE 功能流程如下圖所示，RSSI 值判斷僅為參考值，需根據實際調整。<img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/blog/2024/16633/tinymce/pke_1.png" alt="圖 2 PKE 功能實現流程" /> 圖 2 PKE 功能實現流程<ol start="2"><li>PKG 功能</li></ol>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; 執行 PKG 功能時，鑰匙完成 RSSI 檢測回傳後，如果基站判斷在車內，才會開始 HT-3 認證， 認證通過方可啟動引擎；否則引擎依舊處於鎖止狀態。&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; 若鑰匙未被喚醒，基站無法接收到回傳數據，則判斷鑰匙可能沒電，啟動 IMMO 功能進行認證，此時需要將鑰匙貼近 IMMO 天線，如果接收到的鑰匙 ID 正確，且滿足 HT-3 認證的結果， 引擎即可發動。<img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/blog/2024/16633/tinymce/pkg_1.png" alt="圖 3 PKG 功能實現流程" /> 圖 3 PKG 功能實現流程四、功能展示<ol><li>如下圖所示，完成硬體的搭建，天線相關布置說明如下：</li></ol>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; NJJ29C2 總共有 9 組天線可以使用，PKE/PKG 功能所使用到的天線通道說明如下：&nbsp;&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; (1) TX1 + TX2， 使用高功率驅動模式（最大電流可以提升至 2.5 A），用於發送 PKE/PKG RSSI 測量命令，檢測鑰匙相對天線處位置。&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;(2) TX3，用於 PKE HT-3 認證。&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;(3) TX6，用於 PKG HT-3 認證。<img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/blog/2024/16633/tinymce/hardware_1.png" alt="圖 4&nbsp; 硬體連接圖" /> 圖 4&nbsp; 硬體連接圖<ol start="2"><li>PKE</li></ol>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; 給拓展口處 E5 高電平觸發（相當拉動門把手），TX1+TX2 發送 RSSI 測量命令以及常載波信號， 基站根據鑰匙測量的 RSSI 數值判斷鑰匙在車內還是車外。<img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/blog/2024/16633/tinymce/pke1_1.png" alt="圖 5 拓展口 E5 高電平觸發" /> 圖 5 拓展口 E5 高電平觸發&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; 如果鑰匙在車外，TX3 會開始進行 HT-3 認證， 如果認證通過，則車門開啟，OLED 顯示信息如下圖所示。<img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/blog/2024/16633/tinymce/pke2_2.png" alt="圖 6 驗證通過，車門開啟（距離僅供參考）" /> 圖 6 驗證通過，車門開啟（距離僅供參考）&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; 相反，如果鑰匙在車內，則會提示已在車內。<img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/blog/2024/16633/tinymce/pke3_1.png" alt="圖 7 鑰匙已在車內（距離僅供參考）" /> 圖 7 鑰匙已在車內（距離僅供參考）&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; 如果未檢測到鑰匙，即基站高頻接收板未接收到鑰匙測量的 RSSI 數值，會提示用戶再次嘗試。<img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/blog/2025/17525/tinymce/______-0.png" alt="圖 8 未檢測到鑰匙" /> 圖 8 未檢測到鑰匙<ol start="3"><li>PKG</li></ol>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; 按下用戶按鍵 SW5（相當於按下 &ldquo;一鍵啟動&rdquo; 按鍵），TX1+TX2 發送 RSSI 測量命令以及常載波信號， 基站根據鑰匙測量的 RSSI 數值判斷鑰匙在車內還是車外。<img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/blog/2024/16633/tinymce/pkg1.png" alt="圖 9 用戶按鍵 SW5" /> 圖 9 用戶按鍵 SW5&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; 如果鑰匙在車內，TX6 會開始進行 HT-3 認證， 如果認證通過，則引擎發動，OLED 顯示信息如下圖所示。<img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/blog/2024/16633/tinymce/pkg2_2.png" alt="圖 10 引擎發動（距離僅供參考）" /> 圖 10 引擎發動（距離僅供參考）&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; 相反，如果鑰匙在車外，按下 &ldquo;一鍵啟動&rdquo; 時引擎依然處於鎖止狀態， OLED 如下圖所示。<img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/blog/2024/16633/tinymce/pkg3_2.png" alt="圖 11 引擎鎖止（距離僅供參考）" /> 圖 11 引擎鎖止（距離僅供參考）&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; 如果未接收到鑰匙測量的 RSSI 數值，在鑰匙沒電狀態下，則會啟動 IMMO 認證。五、結語&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; 以上就是本篇文章的全部內容，對《<a href="https://www.wpgdadatong.com/solution/detail/74963" target="_blank" rel="noopener">基於 SemiDrive E3210 &amp; NXP NJJ29C2 &amp; NCK2911 &amp; NCF29A1 PEPS 無鑰匙進入方案</a>》方案感興趣，需要相關資料，可點入鏈接進行提問，聯繫我們。六、參考資料<ol><li><a href="https://www.wpgdadatong.com/solution/detail/74963" target="_blank" rel="noopener">基於 SemiDrive E3210 &amp; NXP NJJ29C2 &amp; NCK2911 &amp; NCF29A1 PEPS 無鑰匙進入方案</a></li><li>簡易操作手冊 -T23-017 PEPS Trainer_V1.0 (芯馳 E3210 PEPS 軟體部分)_Flora Weng_2024.07.08.pdf</li></ol>

PEPS Demo 之 PKE/PKG 功能實現

<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/blog/2025/17470/tinymce/20250113_311.png" /> 英飛凌推出適用於IGBT、SiC和GaN柵極驅動器電源的EiceDRIVER&trade; Power 2EP1xxR全橋變壓器驅動器系列。2EP1xxR系列擴大了英飛凌功率器件產品陣容，為設計人員提供了隔離式柵極驅動器電源解決方案。該系列半導體器件可以幫助實現非對稱輸出電壓，以經濟高效、節省空間的方式為隔離式柵極驅動器供電。因此，2EP1xxR尤其適用於需要隔離式柵極驅動器的工業和消費類應用，包括太陽能應用、電動汽車充電、儲能系統、焊接、不間斷電源、驅動應用等。&nbsp;<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/blog/2025/17470/tinymce/20250113_3_21.png" alt="" />EiceDRIVER&trade; Power 2EP100R&nbsp;2EP1xxR系列採用具有功率集成技術和多項優化功能的緊湊型TSSOP8引腳封裝，可產生非對稱輸出電壓。該系列通過獨特的占空比調整功能，專為非對稱式柵極驅動器電源進行了優化。這些器件支持最高20V寬輸入電壓範圍，還集成了溫度、短路和欠壓鎖定（UVLO）保護以防止意外系統故障。&nbsp;2EP1xxR系列提供四種產品型號：<ul><li>2EP100R和2EP101R專為IGBT和SiC MOSFET柵極驅動器電源的低元件數設計進行了優化；</li><li>2EP110R允許對占空比進行微調，使輸出電壓比與SiC和GaN功率開關的應用要求相匹配；</li><li>2EP130R專為高度靈活的設計進行了優化，以滿足不同的應用要求。該器件不但提供5級過電流保護，還可通過41種開關頻率選項或外部PWM同步功能實現變壓器匹配，並通過41種占空比選項調整輸出電壓。</li></ul>&nbsp;供貨情況EiceDRIVER&trade; Power 2EP1xxR的全部四個型號現已上市。&nbsp;另外，為了幫助客戶進行評估，英飛凌還提供評估板：<ul><li>EVAL-2EP130R-VD</li><li>EVAL-2EP130R-PR</li><li>EVAL-2EP130R-PR-SIC</li></ul>點擊<a href="https://www.infineon.com/cms/en/design-support/finder-selection-tools/product-finder/evaluation-board/?redirId=59313" target="_blank" rel="noopener">此處</a>，了解更多信息。&nbsp;<div style="text-align: center;">掃碼下載白皮書 </div><div style="text-align: center;">了解EiceDRIVER&trade;更多內容 <img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/blog/2025/17470/tinymce/20250113_3_311.png" /> </div><hr />掃描二維碼,關注英飛凌工業半導體尋找更多應用或產品信息 <img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/blog/2025/17470/tinymce/gip.png" alt="" />

白皮書下載 | 英飛凌推出新型EiceDRIVER™ Power全橋變壓器驅動器系列

2024年，全球極端天氣頻發，成為有氣象記錄以來最熱的一年，颶風、乾旱等災害比往年更加嚴重。在此背景下，推動社會的綠色低碳轉型，提升發展的&ldquo;綠色含量&rdquo;已成為廣泛共識。在經濟社會踏&ldquo;綠&rdquo;前行的過程中，第三代半導體尤其是碳化矽作為關鍵支撐，如何破局飛速發展的市場與價格戰的矛盾，除了當下熱門的新能源汽車應用，如何在工業儲能等其他應用市場多點開花？&nbsp;在日前舉辦的年度碳化矽媒體發布會上，英飛凌科技工業與基礎設施業務大中華區高管團隊從業務策略、商業模式到產品優勢等多個維度，全面展示了英飛凌在碳化矽領域30年的深耕積累和差異化優勢，系統闡釋了如何做&ldquo;能源全鏈條的關鍵賦能者&rdquo; 。&nbsp;&nbsp;30年領跑碳化矽技術，做能源全鏈條關鍵賦能者&nbsp; 綠色高效的能源是英飛凌在低碳化、數字化願景下重點聚焦的三大業務增長領域之一。英飛凌科技高級副總裁、工業與基礎設施業務大中華區負責人於代輝表示，進入中國市場近三十年，英飛凌持續深耕能源全鏈條，為包括發電、輸配電、儲能、用電在內的電力全價值鏈提供系統級的高能效產品和解決方案，產品廣泛應用於風電、光伏、高鐵、儲能等應用領域，為推動整個社會實現綠色低碳轉型發揮著重要作用。結合自身定位&ldquo;能源全鏈條上的關鍵賦能者&rdquo;，可以說英飛凌在發電、輸配電和儲能等領域已做到&ldquo;全鏈條覆蓋，全賽道布局&rdquo;。&nbsp;<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/blog/2025/17471/tinymce/20250113_41.png" alt="" /><div style="text-align: center;">英飛凌科技高級副總裁、</div><div style="text-align: center;">工業與基礎設施業務大中華區負責人於代輝</div>&nbsp;在於代輝看來，碳化矽是滿足可持續性能源生產和消費的核心技術，能憑藉更大功率、更低損耗和更高開關速度等優勢特性，滿足綠色能源相關應用在高能效、系統級性價比和貫穿全壽命周期的可靠性等方面的要求。經過30年的深耕，在碳化矽產業這條賽道上，英飛凌以創新先行者的姿態，持續引領著碳化矽技術的發展方向。早在1992年，英飛凌便率先開始了碳化矽技術的研發，並於2001年推出了全球第一款商用碳化矽二極體，開啟了碳化矽的商用進程。此後，英飛凌不斷進行技術打磨和沉澱，加快產品的創新和疊代升級，幫助新材料在新應用中快速成長。公司的碳化矽生產線也從起初的4英寸切換到6英寸，並逐步向8英寸過渡，引領著碳化矽生產工藝的新潮流。&nbsp;一致性、領先性、創新性、經濟性和適應性，不僅是我們對碳化矽產品的期望，也是客戶在使用碳化矽過程中感受最深的五個痛點。於代輝英飛凌科技高級副總裁、工業與基礎設施業務大中華區負責人&nbsp;於代輝用&ldquo;穩&rdquo;、&ldquo;先&rdquo;、&ldquo;卓&rdquo;、&ldquo;優&rdquo;和&ldquo;融&rdquo;這五個關鍵字，傳遞出英飛凌希望通過穩定的產品質量、多元化的供應鏈保障、領先的技術創新、卓越的產品性能和優化的產能布局，來不斷滿足和解決客戶的痛點需求，推動碳化矽市場快速發展的決心和能力。&nbsp;作為英飛凌科技工業與基礎設施業務大中華區負責人，於代輝特彆強調了&ldquo;融&rdquo;字的重要性。與中國市場和客戶的深度融合，&ldquo;融入市場，融入客戶&rdquo;，充分了解本土市場需求、加快對市場和客戶的響應速度、加強本土應用創新能力，加深對本土需求和系統的理解，從而為國內客戶提供&ldquo;端到端&rdquo;增值服務，才能夠在激烈的市場競爭中立於不敗之地。&nbsp;&nbsp;重塑行業格局，碳化矽何以英飛凌？&nbsp; 在推動低碳化轉型的過程中，轉向可再生能源是核心環節，而如何在能源轉換過程中實現更高效的能源轉換效率則是關鍵挑戰。碳化矽恰恰就是這樣一種提升能效的功率半導體技術。其核心目標就是在低碳化轉型框架下，將兩個過去尚未被滿足的需求變為現實：一是能效創新，尤其是提升光伏、儲能、充電樁等應用的能效；二是設計創新，重點是如何將系統尺寸做得更小、成本更低、更加節能高效。&nbsp;英飛凌科技副總裁、工業與基礎設施業務大中華區市場負責人沈璐，在澄清關於碳化矽技術的兩個最常見的誤區&mdash;&mdash;可靠性之爭與性能評價原則的同時，條分縷析地闡釋了英飛凌在碳化矽技術領域的獨特優勢和創新商業模式，致力於成為客戶首選的零碳技術創新夥伴。&nbsp;<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/blog/2025/17471/tinymce/20250113_4_21.png" alt="" /><div style="text-align: center;">英飛凌科技副總裁、</div><div style="text-align: center;">工業與基礎設施業務大中華區市場負責人沈璐</div>&nbsp;關於溝槽柵和平面柵技術的可靠性之爭，沈璐形象地將溝槽柵架構比喻成&ldquo;下挖一個隧道&rdquo;，避開了&ldquo;坑窪不平的碳化矽柵極氧化層界面&rdquo;，通過使用更厚的氧化層和更高的篩選電壓，來最大限度地降低柵極氧化層的缺陷密度，保障可靠性。英飛凌早在10年前就倡導採用溝槽柵技術，時至今日，無論是國際還是國內大廠在下一代技術路線的選擇上都紛紛轉向了溝槽柵，也恰恰證明了溝槽柵技術優勢所在。&nbsp;關於碳化矽性能的評價原則，沈璐建議放棄單一的&ldquo;單位面積導通電阻(Rsp)&rdquo;評價標準，轉而投向包括開關損耗、導通損耗、封裝熱阻/雜感、魯棒性及可靠性在內的多元化綜合考量體系。因為在光伏、儲能、充電樁等實際應用中，碳化矽高頻開關帶來的開關損耗開始越來越接近，甚至超過導通損耗。另一方面，隨著溫度的升高，溝槽柵導通電阻高溫漂移是碳化矽的物理特性，英飛凌為用戶提供了非常詳盡的設計參數，可以幫助設計工程師用足器件性能。此外，功率器件模塊的封裝熱阻/雜感優化，對於增加功率轉換效率和密度、保持功率輸出和頻率振盪穩定性也起到重要的作用。因此，多元化評價體系將更加客觀。&nbsp;在碳化矽業務策略上，英飛凌將堅持三大方向：首先是持續布局，步履不停，不斷推進晶片技術路線的疊代和產線的升級；第二是持續創新，超越期待，如推出全球首款2kV碳化矽分立器件、全球首款基於溝槽柵技術的3.3kV碳化矽高功率模塊，以及實現業界單晶片最大功率密度的CoolSiC&trade; MOSFET G2產品等，通過持續推出創新產品，英飛凌樹立了行業的新標杆；第三是持續深耕，穿越周期，英飛凌將保持長期的戰略定力，堅持做對的事，而不是容易的事，在堅持溝槽柵技術路線、堅持可靠性承諾的同時，確保擁有全面的產品組合，面向不同行業和市場應用滿足客戶多樣的需求，駕馭周期性的考驗。沈璐英飛凌科技副總裁、工業與基礎設施業務大中華區市場負責人&nbsp;&nbsp;CoolSiC&trade;碳化矽技術，值得信賴的技術革命&nbsp; 英飛凌科技高級技術總監、工業與基礎設施業務大中華區技術負責人陳立烽深入闡述了英飛凌CoolSiC&trade;碳化矽技術的持續精進之路以及最新一代CoolSiC&trade; MOSFET G2技術的獨特優勢。他指出，技術不僅是一種手段，更是產品性能和特性等核心價值的體現。&nbsp;<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/blog/2025/17471/tinymce/20250113_4_31.png" alt="" /><div style="text-align: center;">英飛凌科技高級技術總監、</div><div style="text-align: center;">工業與基礎設施業務大中華區技術負責人陳立烽</div>&nbsp;在對一項技術或一款產品進行評估時，僅僅關注其電壓等級、導通電阻等基本的靜態和動態特性是遠遠不夠的，還需要綜合考慮其可靠性、穩定性以及易用性。例如，衡量碳化矽器件的性能需要全面評估多個關鍵指標，包括柵極氧化層的可靠性、體二極體的魯棒性，還有驅動電壓的延展性和抗短路能力作為可靠性的直接體現，也是評估碳化矽器件性能時不可忽視的一環。而代表碳化矽器件在性能和可靠性上不斷優化這一創新方向的關鍵技術，就是溝槽柵技術。英飛凌CoolSiC&trade; MOSFET採用了非對稱溝槽柵結構，其中的垂直溝道設計，可以保證低界面態密度與氧化層陷阱，提升載流子遷移率，並顯著降低導通電阻和開關損耗；深P阱設計則增強了柵極氧化層的可靠性，並且可以在溝槽拐角處形成高電場，起到保護作用。陳立烽英飛凌科技高級技術總監、工業與基礎設施業務大中華區技術負責人&nbsp;除了器件的設計結構之外，英飛凌的.XT封裝技術能夠全面優化器件的性能，將其潛力充分發揮至更高水平，陳立烽補充道。在生產工藝方面，英飛凌採用冷切割技術為晶圓生產效率的提升及供應安全保駕護航。綜上所述，從器件的結構設計到封裝方式，再到生產工藝，英飛凌正在全方位推進碳化矽技術的持續向前發展。&nbsp;在此基礎之上，英飛凌的CoolSiC&trade; MOSFET產品不斷疊代升級。新一代碳化矽技術CoolSiC&trade; MOSFET G2產品，在確保質量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標（如能量和電荷儲量）相比上一代產品優化了20%，快速開關能力也提高了30%以上，為光伏、儲能、直流電動汽車充電、電機驅動和工業電源等功率半導體應用領域的客戶帶來了巨大優勢。此外，CoolSiC&trade; MOSFET G2還採用了優異的.XT技術，用於將晶片粘合到封裝上。這種技術將晶片的瞬態熱阻降低了25%甚至更高。與傳統的鍵合技術相比，.XT技術將晶片性能提高了15%，並將其使用壽命延長了80%。&nbsp;CoolSiC&trade; MOSFET G2的另一項優勢在於它更加堅固耐用。作為1200V電壓等級功率器件的特性之一，CoolSiC&trade; MOSFET G2的最大工作結溫從過去的175攝氏度提高到了200攝氏度，這意味著客戶有了更大的靈活性，可以在過載條件下進行開發設計。與前幾代產品相比，採用CoolSiC&trade; MOSFET G2 電動汽車直流快速充電站最高可減少10%的功率損耗，並且在不影響外形尺寸的情況下實現更高的充電功率。基於CoolSiC&trade; MOSFET G2器件的牽引逆變器可進一步增加電動汽車的續航里程。在可再生能源領域，採用 CoolSiC&trade; MOSFET G2的太陽能逆變器可以在保持高功率輸出的同時實現更小的尺寸，從而降低成本。&nbsp;踏&ldquo;綠&rdquo;前行&ldquo;碳&rdquo;新路，精&ldquo;工&rdquo;強&ldquo;基&rdquo;創未來。英飛凌將繼續加強與本土市場的融合，以創新的技術優勢、卓越的產品質量、穩健的運營模式賦能客戶，做能源全鏈條的關鍵賦能者，成為首選的零碳技術創新夥伴。&nbsp; <hr />掃描二維碼,關注英飛凌工業半導體尋找更多應用或產品信息 <img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/blog/2025/17471/tinymce/gip.png" alt="" />

納芯微推出通用CAN接口晶片NCA1042，隔離CAN接口晶片NSI1042

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