華邦HyperRAM™ 助力Efinix驅動新一代緊湊型超低功耗AI與IoT設備

日期 : 2021-12-23
標籤 :
Winbond、HyperRAM、IOT

新聞內容

  • 華邦 256Mb HyperRAM 2.0e KGD 良裸晶圓封裝為 Efinix Ti60 F100 提供高性能、低功耗、小尺寸的內存選擇,充分滿足嵌入式邊緣AI應用的多種需求
  • 與傳統 DRAM 所需配備 31-38 個標準引腳相比,僅需 22 個信號引腳的華邦 HyperRAM 2.0e KGD,可使設計人員大幅減少其空間占用並簡化設計
  • 華邦 HyperRAM 可實現超低功耗:主動模式下功耗與競爭對手的 DRAM 等同或更低,同時提供140 uW的待機功耗。此外混合睡眠模式的功耗僅為 70uW

(2021-10-20台灣台中訊)—— 全球半導體存儲解決方案領導廠商華邦電子今日宣布,可編程產品平台和技術的創新廠商Efinix選擇華邦HyperRAMTM 內 存來驅動新一代相機和傳感器系統,如人工智慧、物聯網、熱成像儀、工業相機、機器人和智能設備等。華邦256Mb x16 HyperRAM 2.0e KGD 具備提供超低功耗、高性能和小巧的外形尺寸設計,為Efinix Titanium Ti60 F100 FPGA提供完整、易於實現的內存系統,幫助其快速地將產品推向市場,同時兼具成本效益。

華邦表示:“如今,設備製造商正在將傳感器和連接功能添加到幾乎所有的下一代應用中,這一趨勢推動了提高邊緣處理能力,同時卻又希望能繼續保持設備 小巧尺寸的需求。HyperRAM特別針對這些應用進行優化,通過混合睡眠模式提供超低功耗、用較少的信號引腳簡化設計,同時保持及其小巧的晶片尺寸。品 牌客戶或系統製造商,如Efinix可輕鬆設計出PCB尺寸更小的Ti60 (SiP 256Mbx16 HyperRAM KGD),以裝載於可穿戴相機等緊湊型應用設備中。”

關於Ti60 F100

Efinix Ti60 F100 內含價值60K的邏輯和高速I/O,可針對各種通信協議進行配置,此外還集成了SPI閃存和HyperRAM,且全部封裝在0.5mm球間距的微型5.5 mm2 封裝中。通過結合FPGA邏輯和數據存儲,Ti60 F00 成為了適用於各種相機和傳感器系統的最佳解決方案。藉助SPI閃存,設計人員無需配備外掛獨立內存,而HyperRAM可用於存儲用戶數據。客戶可將 HyperRAM用作視頻的幀緩衝器,用於存儲AI的權重和偏差、存儲飛行時間(TOF)傳感器的參數,或存儲RISC-V SoC的固件。如需了解Efinix平台的更多相關信息,請訪問 Titanium Ti60 F100

Efinix市場營銷副總裁 Mark Oliver表示:“Ti60 F100專為邊緣和物聯網應用所設計,要求其具備小尺寸與低功耗等關鍵性能。華邦所提供的超低功耗和小尺寸內存與Titanium系列的低功耗性能相結 合,可充分滿足上述要求。華邦HyperRAM的低引腳數,可將設備輕鬆集成到微型的5.5 mm2 多晶片系統封裝中。”

關於HyperRAM

華邦HyperRAM是嵌入式AI和圖像識別與處理的理想選擇。在這些應用中,電子電路必須儘可能微型化,同時需提供足夠的存儲和數據帶寬以支持計 算密集型的工作負載,例如關鍵字識別或圖像識別。HyperRAM可在200MHz的最大頻率下運行,並在3.3V或1.8V的工作電壓下提供 400MB/s的最大數據傳輸速率。同時,HyperRAM在操作和混合睡眠模式下均可提供超低功耗, 以華邦64Mb HyperRAM為例,常溫下1.8V待機功耗為70 uW,更重要的是,HyperRAM在1.8V混合睡眠模式下的功耗僅為35uW。此外,HyperRAM 64Mb x8僅有13個引號引腳,可大幅簡化PCB布局設計。設計人員在設計終端產品時,可使MPU將更多引腳用於其他目的,或者採用擁有更少引腳的MPU以提高 成本效益。

華邦HyperRAM內存容量為256Mb,時鐘頻率高達200MHz,配備用於高速傳輸的HyperBus接口,並支持高達400Mbps的雙倍數據傳輸速率。將內存集成在同一封裝中,設計人員可存儲視頻幀數據或傳感器數據,然後通過FPGA邏輯加以處理,而無需挪出電路板空間來放置其他的存儲設備。