基於GaN FET的最高功率密度DC/DC轉換器，可實現2 MHz的開關頻率
EPC和ADI推出參考設計，採用完面優化的新型模擬控制器來驅動EPC的氮化鎵場效應電晶體(GaN FET)。新型類比LTC7890同步氮化鎵降壓控制器與EPC的超高效eGaN®FET相結合，可實現高達2 MHz的開關頻率，從而實現高功率密度和低成本的DC/DC轉換。
宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出EPC9160，這是一款雙輸出同步降壓轉換器参考設計，開關频率為2 MHz，可將9 V~24 V的输入電壓轉換爲3.3 V或5 V的輸出電壓，兩個輸出的連續電流可高達15 A。由於開關頻率高，轉換器的尺寸非常小，兩個輸出都只有23 mm x 22 mm和電感器的厚度只有3 mm。
這個解決方案具有高功率密度、纖薄和開關頻率爲2 MHz，是車用控制台應用和需要小型、纖薄方案的計算、工業、消費和電訊電源系統的理想選擇。eGaN®FET具備快速開關、高效率和小尺寸等優勢，可以满足這些前沿應用對高功率密度的嚴格要求。
EPC9160参考設計採用了增强型GaN FET(EPC2055)和帶有整合式GaN驅動器的两相類比降壓控制器(LTC7890)。
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100 V、具有低 Iq、雙路、兩相的同步降壓控制器（LTC7890）經過全面優化，可驅動 EPC eGaN FET，並集成了一个半橋驅動器和智能自舉二極體。經過優化的死區時間或可編程死區時間接近零，開關頻率最高可達3 MHz。5 uA的静態電流（VIN = 48 V、VOUT = 5 V、仅CH1）可實現非常低的待機功耗和卓越的輕負載效率。
- 40 V 的eGaN FET (EPC2055)在超小尺寸(2.5 mm x 1.5 mm)內實現3 mOhm的最大導通電阻、6 nC QG、0.7 nC QGD、1.3 nC QOSS和零反向恢復（QRR），可提供高達29 A的連續電流和161 A的峰值電流。優越的動態參數可以在2 MHz開關頻率下，實現非常小的開關損耗。
EPC9160的效率在5 V輸出和24 V輸入時超過93%。除了輕載工作模式和可調死區時間外，該板還提供欠壓鎖定、過流保護和power good輸出。
宜普電源轉換公司首席執行長Alex Lidow說：「氮化鎵場效應電晶體具備超低開關損耗的優勢，使它能够在2 MHz以上的頻率工作，並配以新型類比控制器，客户可實現2 MHz工作頻率以上的整個生態系统。我们很高興與ADI公司合作，將其先進控制器的優勢與EPC氮化鎵元件的卓越性能結合起来，為客户提供具有最高功率密度和採用少量元件的解決方案，從而提高效率、增加功率密度和降低系統成本。」
ADI公司高級產品市場經理Tae Han說：「ADI公司的LTC7890設計可發揮EPC eGaN FET的優勢，用於高功率密度解決方案。LTC7890實現更高的開關頻率和經過優化的死區時間，與市場上現有的解決方案相比，性能更卓越且功耗更低。通過這些新型控制器，客戶可以發揮氮化鎵元件的極速開關優勢，實現最高的功率密度。」