日本川崎—東芝電子元件及存儲裝置股份有限公司（“東芝”）已推出兩款碳化矽(SiC) MOSFET雙模組：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的 MG600Q2YMS3；額定電壓為1700V、額定漏極電流為400A的 MG400V2YMS3。這是東芝首款具有此類電壓等級的產品，與之前發布的MG800FXF2YMS3共同組成了1200V、1700V和3300V元件的陣容。
新模組在安裝方式上與廣泛使用的矽(Si) IGBT模組相容。其低能量損耗特性滿足了工業設備對更高效率和更小尺寸的需求，如軌道車輛的轉換器和逆變器，以及可再生能源發電系統。
應用
- 軌道車輛的逆變器和轉換器
- 可再生能源發電系統
- 馬達控制設備
- 高頻DC-DC轉換器
特性
- 安裝方式相容Si IGBT模組
- 損耗低於Si IGBT模組
MG600Q2YMS3
VDS(on)sense =0.9V (典型值) @ID=600A, Tch=25°C
Eon=25mJ (典型值), Eoff=28mJ (典型值) @VDS=600V, ID=600A, Tch=150°C
MG400V2YMS3
VDS(on)sense=0.8V (典型值) @ID=400A, Tch=25°C
Eon=28mJ (典型值), Eoff=27mJ (典型值) @VDS=900V, ID=400A, Tch=150°C - 內建NTC熱敏電阻
主要規格
(除非另有規定，否則 @Tc=25°C)