宜普電源轉換公司（EPC）新推40 V、1.1 mΩ的氮化鎵場效應電晶體（EPC2066），為設計工程師提供比矽MOSFET更小、更高效的元件，用於高性能、佔板面積受限的應用。
全球行業領先供應商宜普電源轉換公司為業界提供增强型氮化鎵（eGaN®）功率場效應電晶體和集成電路，新推40 V、典型值爲0.8 mΩ的EPC2066氮化鎵場效應電晶體，為客戶提供更多可選的低壓氮化鎵電晶體和可以立即發貨。
EPC2066的低損耗和小尺寸使其成為用於最新伺服器和人工智能的高功率密度、40 V~60 V/12 V DC/DC轉換器次級側的理想開關元件。它也是電源供電和銀盒數據中心伺服器中次級側同步整流至12 V的理想元件，而且適用於24 V~32V的高密度馬達控制應用。氮化鎵場效應電晶體可在高頻工作、具有高效率和13.9mm2的超小尺寸等優勢，可以實現最高功率密度。
EPC2066的設計與EPC第4代產品EPC2024兼容。第五代產品在面積乘以導通電阻方面的改進使EPC2066在相同面積下的導通電阻降低了27%。
EPC公司的聯合創始人兼首席執行長Alex Lidow說：「在以上提及的導通電阻條件下，EPC2066的尺寸要比市場上任何其他場效應電晶體都要小得多。它與較早前推出的EPC2071匹配，用於高功率密度計算應用的LLC DC/DC轉換器。」
EPC9174參考設計是一個1.2kW、48 V輸入、12V輸出的LLC轉換器。它採用EPC2071作爲初級側全橋元件和EPC2066作爲次級側元件。在22.9 mm x 58.4 mm x 10 mm的小尺寸內，實現1 MHz的開關頻率和1.2 kW的功率（功率密度爲1472 W/in3）。550 W時的峰值效率爲97.3%，12 V時的滿載效率爲96.3%，可提供100 A輸出功率。
有興趣用GaN解決方案替換其矽MOSFET的設計人員可使用 EPC GaN Power Bench 的交叉參考工具，根據您所需的特定工作條件，我們會推薦合適的替代方案。交叉參考工具可在以下網頁找到：交叉參考搜索 (epc-co.com)。