日本川崎--東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）和日本半導體株式會社（Japan Semiconductor Corporation ）共同研發出用於車載應用的具有嵌入式非易失性記憶體（eNVM）的高可靠多功能模擬平臺。 新一代0.13微米類比平臺適用於模擬積體電路（IC），可根據額定電壓、性能、可靠性和成本，為單晶元上集成汽車類比電路和eNVM提供工藝和器件的優化組合。
包括電機驅動IC的類比IC廣泛應用於車載應用領域。 隨著電動汽車的發展以及配置高級駕駛輔助系統（ADAS）的車輛增加，預計類比IC市場將持續增長。 因此需要多功能專用汽車級平臺滿足相關車載應用的需求。 由於eNVM和微控制器單元（MCU）尚未在單個晶片上實現，因此IC總面積較大。
東芝和日本半導體提供三種LDMOS*1結構和包括eNVM在內的非常廣泛的器件產品線，可選擇用來滿足不同的要求。 目前，雙方已開發出高度可靠的、符合汽車可靠性國際標準AEC-Q100/Grade-0的類比IC平臺。
LDMOS關鍵參數導通電阻（RonA）與漏極-源極擊穿電壓（BVDSS ）之間需要進行權衡。 在一定的BVDSS之下，RonA越低性能越好。 東芝和日本半導體證實，位於漏極和源極之間採用台階氧化層或LOCOS*2結構的兩種LDMOS最大Ron A比基於STI*4的LDMOS低(好)44%*3 。 他們還確定了相應機制用來評估基於LOCOS的LDMOS器件可靠性、故障率和ESD耐受性優勢。
嵌入平臺IP公司Floadia的 eNVM（Floadia LEE Flash G1）只需加三個額外掩模，即可滿足車載模擬功率器件高可靠性要求，而不影響基礎平臺和器件。 同時，還可以通過優化佈局防止類比電路開關LDMOS產生的雜訊的影響，從而避免eNVM故障。
東芝和日本半導體計劃2022年12月開始使用新開發的平臺製作車載半導體試樣。 5月22日至25日，加拿大溫哥華舉行的2022年IEEE國際功率半導體器件和積體電路會議（ ISPSD）報告並在線發佈這一成果的詳細資訊。
*1 LDMOS：橫向雙擴散MOS（金屬氧化物半導體）。
*2 LOCOS：局部氧化矽隔離。 氮化矽薄膜用作硬掩模，在矽襯底上選擇性形成氧化矽膜用於隔離元件。
*3 東芝和日本半導體證實，東芝測試結果顯示，位於漏極和源極之間採用台階氧化層或LOCOS結構的兩種LDMOS最大RonA 比基於STI的LDMOS低(好)44%。
*4 STI：淺溝槽隔離。 將絕緣膜嵌入淺溝槽以隔離元件。
開發平臺的元件產品線
三種LDMOS的結構
(左起STI結構、階梯氧化層結構、LOCOS結構)
