IPAC直播間 | CoolSiC™碳化矽直播季- 迎接碳化矽2000V時代
今年3月, 英飛凌推出了市面上第一款擊穿電壓達到2000V的碳化矽分立器件, 全面開啟碳化矽2000V的時代。 最新的2000V CoolSiC™ MOSFET採用TO-247PLUS-4-HCC封裝,爬電距離為14mm,電氣間隙為5.4mm。 作為英飛凌的創新產品,其在直流母線電壓表現搶眼,能為1500 VDC系統的過壓提供更高的裕量。
英飛凌IPAC“CoolSiC™碳化矽直播季”去年一經上線,備受好評!
5月14日 14:00,今年的碳化矽季正式回歸,
首期話題將為您揭開CoolSiC™ MOSFET 2000V的神秘面紗:
- 增強型M1H CoolSiC™ MOSFET技術帶來哪些產品優勢?
- 2000V CoolSiC™ 碳化矽分立器件和模塊產品各有什麼特點?
- 如何應對2000V CoolSiC™ MOSFET的驅動挑戰?
- 2000V CoolSiC™ MOSFET在應用設計時需要關注哪些設計難點?
鎖定碳化矽季未來幾期,更多福利/驚喜將在直播間呈現:
CoolSiC™ MOSFET 2000V產品評估板首次公開發布售賣,
柵極驅動器重點知識講解,儲能方面的應用……
嘉賓介紹:
波老師:IPAC 常駐主持
沈嵩:碳化矽資深專家 , 具有豐富的逆變器設計系統經驗和功率器件應用知識
趙佳:碳化矽資深專家 , 長期負責功率半導體產品在新能源等應用技術支持
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我們誠邀您參加英飛凌的IPAC直播活動!
【英飛凌IPAC有獎直播報名】5月14日 迎接CoolSiC™碳化矽2000V時代
時間:2024年5月14日(周二) 14:00
請掃描下方微信二維碼或點擊這裡網站進行報名
本期直播亮點:
- 首期話題將為您揭開CoolSiC™ MOSFET 2000V的神秘面紗
- 增強型M1H CoolSiC™ MOSFET技術帶來哪些產品優勢?
- 2000V CoolSiC™ 碳化矽分立器件和模塊產品各有什麼特點?
- 如何應對2000V CoolSiC™ MOSFET的驅動挑戰?
- 2000V CoolSiC™ MOSFET在應用設計時需要關注哪些設計難點?
鎖定碳化矽季未來幾期,更多福利/驚喜將在直播間呈現:
CoolSiC™ MOSFET 2000V產品評估板首次公開發布售賣,
柵極驅動器重點知識講解,儲能方面的應用……
另有獨家放送驚喜禮品, 立即報名!