AOS 1200V aSiC MOSFET新增贴片型及模块封装选型

日期 : 2024-06-08
標籤 :
AOS/电源

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作者 : AOSemi
出處 : www.aosmd.com

AOS 1200V aSiC MOSFET新增贴片型及模块封装选型

AOS推出三款新封装产品,AOBB040V120X2Q(1200V/40mOhm,D2PAK-7L 表面贴装封装)、AOGT020V120X2(1200V/20mOhm,GTPAK封装)以及AOH010V120AM2(1200V/10mOhm,AlphaModule™模块封装),为设计人员提供了多种系统优化选项,赋予选配灵活性,最大化系统效率,同时简化制造流程。

2024年6月6日,集设计、研发、生产和全球销售一体的著名功率半导体、芯片及数字电源产品供应商Alpha and Omega Semiconductor Limited(AOS,纳斯达克股票代码:AOSL)宣布扩展其第二代 650V 至 1200V aSiC MOSFET 的封装组合选项,包括表面贴片及模块封装,全新封装产品组合适用于许多关键应用,例如插电式混合动力/电动汽车(xEV)车载充电机、太阳能逆变器和工业电源等,为设计人员提供了多种系统优化选项,赋予选配灵活性,以进一步最大化系统效率,同时简化制造流程。AOS 将于 6 月 11 日至 13 日在德国纽伦堡举行的 PCIM Europe 2024 上展示这两款全新封装的产品组合。

AOBB040V120X2Q是 AOS新型 1200V/40mOhm aSiC MOSFET,采用标准 D2PAK-7L 表面贴装封装,是第一款应用表面贴装封装的SiC产品。这款产品符合 AEC-Q101 标准,旨在取代传统的插件封装。它非常适合车载充电器 (OBC) 等应用,这些应用可以通过通孔和背面 PCB 散热器以及水冷等散热方式,简化装配流程并最大限度地提高功率密度。此外,低电感封装与快速驱动器源极感应连接相结合,使这些 AOS aSiC MOSFET 成为市场上最高效的电源开关解决方案之一。


为了增加客户产品设计的灵活性,AOS 推出了顶部散热型 GTPAK™ 表面贴片封装。在顶部安装散热贴片的设计中,来自顶部的直接热路径可最大限度地降低热阻。它可实现更高的功率耗散,从而实现更有效的 PCB 布线。AOGT020V120X2是首款采用 GTPAK 封装AOS 产品,1200V/20mOhm aSiC MOSFET,是满足高效太阳能逆变器和工业电源应用要求的理想解决方案。


最后一款新推出的产品是AOH010V120AM2,是其全新 AlphaModule™ 高功率无基板模块系列的首款产品。这款 1200V/10mOhm 半桥 aSiC 模块具有压接引脚和集成热敏电阻。它采用标准尺寸模块,可以将多个分立器件替换为单个紧凑封装模块,同时通过支持电气和冷却路径的明确分离来简化机械和电气设计。单个模块适用于家用太阳能逆变器,或通过多个模块并联扩展到满足大功率快速直流充电站需求所需的功率水平。

关于AOS

Alpha and Omega Semiconductor Limited(AOS)为集设计、开发生产与全球销售一体的功率半导体供应商。AOS提供广泛的功率半导体产品线,包括完整的 Power MOSFET, SiC, IGBT, IPM, TVS, Gate Drivers, Power IC以及数字电源产品系列。AOS开发了广泛的知识产权和技术知识,涵盖功率半导体行业的最新进展,使我们能够引入并创新产品,以满足先进电子产品日益复杂的功率要求。AOS的特色在于通过其先进的分立器件和IC半导体工艺制程、产品设计和先进的封装技术,来开发高性能电源管理解决方案。其产品组合广泛应用于包括便携式计算机、平板电视、LED照明、智能手机、电池组、面向消费类和工业类电机控制以及电视、计算机、服务器和电信设备的电源。欲了解更多信息,请访问AOS官方网站。www.aosmd.com。