擴大有助於提升電源效率的600 V Super Junction N通道MOSFET產品線

 

東芝電子元件及儲存裝置株式會社（ “東芝” ）擴大了600 V N通道功率MOSFET “DTMOSVI系列”的產品線，該系列產品採用東芝最新一代製程製造，採用Super Junction結構。這些新產品適用於資料中心所使用的高效能電源和太陽能變頻器中的功率調節器。此產品線具有多樣的封裝和RDS(on)，包含「 TK40N60Z1 、 TK080N60Z1 、 TK080A60Z1 、TK085V60Z1 、TK125N60Z1、 TK125A60Z1 、 TK130V60Z1、 TK155A60Z1和TK165V60Z1等產品。

藉由優化閘極設計和工藝， 600 V DTMOSVI系列產品與東芝當前一代具有相同VDS額定電壓的DTMOSIV-H系列產品相比，每一個單位面積的RDS(on)約降低了13% ，RDS(on)×Qgd（ 評估MOSFET的效能因數）降低了約52% 。這意味著新產品比現有產品實現更好的導通損耗和開關損耗之間的權衡性。 DTMOSVI系列的新產品將有助於提高電源效率。

東芝也提供支援開關電源電路設計的工具。除了可在短時間內驗證電路功能的G0 SPICE模型外，現在還提供更精確再現瞬態特性的高精度G2 SPICE模型。

東芝將繼續擴大其DTMOSVI系列產品線，讓客戶可以降低開關電源的功耗來達成節能需求。